[发明专利]选择电路、用于存储器存储系统的防闩锁电路及方法有效
| 申请号： | 201910387123.8 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110648697B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 林松杰;许国原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C11/412 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了选择电路、用于存储器存储系统的防闩锁电路及方法。公开了用于可配置存储器存储系统的各个实施例。可配置存储器存储选择性地从多个操作电压信号中选择操作电压信号以动态地控制各个操作参数。例如，可配置存储器存储系统选择性地从多个操作电压信号中选择最大操作电压信号以最大化读取/写入速度。作为另一实例，可配置存储器存储系统选择性地从多个操作电压信号中选择最小操作电压信号以最小化功耗。此外，可配置存储器存储系统选择性地将最大操作电压信号提供给其一些晶体管的块状(B)端子，以防止闩锁这些晶体管。在一些情况下，可配置存储器存储系统可动态地调节最大操作电压信号以补偿最大操作电压信号中的波动。 | ||
| 搜索关键词： | 选择 电路 用于 存储器 存储系统 防闩锁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种选择电路，用于选择性地将操作电压信号提供给存储器存储系统，所述选择电路包括：/n开关电路，具有多个晶体管，配置为从多个操作电压信号中选择所述操作电压信号，选择性地将所述多个操作电压信号中的最大操作电压信号施加至所述多个晶体管的块状端子；以及/n防闩锁电路，配置为动态地调节所述最大操作电压信号以补偿所述最大操作电压信号中的波动。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910387123.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
