[发明专利]选择电路、用于存储器存储系统的防闩锁电路及方法

权利要求书

1.一种选择电路，用于选择性地将操作电压信号提供给存储器存储系统，所述选择电路包括：

开关电路，具有多个晶体管，配置为从多个操作电压信号中选择所述操作电压信号，选择性地将所述多个操作电压信号中的最大操作电压信号施加至所述多个晶体管的块状端子；以及

防闩锁电路，配置为动态地调节所述最大操作电压信号以补偿所述最大操作电压信号中的波动，

其中，所述防闩锁电路包括：

多个二极管接法的晶体管，所述多个二极管接法的晶体管的每个分别连接至所述多个操作电压信号中的对应操作电压信号，并且将所述最大操作电压信号施加至所述多个二极管接法的晶体管的每个的栅极和块状端子。

2.根据权利要求1所述的选择电路，其中，所述多个晶体管包括：

第一晶体管，配置为选择性地提供所述多个操作电压信号中的第一操作电压信号；以及

第二晶体管，配置为选择性地提供所述多个操作电压信号中的第二操作电压信号；以及

其中，将所述最大操作电压信号选择性地施加至所述第一晶体管的第一块状端子和所述第二晶体管的第二块状端子。

3.根据权利要求2所述的选择电路，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括：

p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。

4.根据权利要求2所述的选择电路，其中，所述第一晶体管配置为响应于处于第一逻辑电平的偏置控制信号而选择性地提供所述第一操作电压信号，以及

其中，所述第二晶体管配置为响应于处于与所述第一逻辑电平不同的第二逻辑电平的偏置控制信号而选择性地提供所述第二操作电压信号。

5.根据权利要求1所述的选择电路，其中，所述防闩锁电路包括：

第一二极管接法的晶体管和第二二极管接法的晶体管，所述第一二极管接法的晶体管和所述第二二极管接法的晶体管分别连接至所述多个操作电压信号中的第一操作电压信号和第二操作电压信号，

其中，所述第一二极管接法的晶体管配置为在被激活时由所述第一操作电压信号获得第一电流，以调整所述最大操作电压信号以补偿所述最大操作电压信号中的波动，以及

其中，所述第二二极管接法的晶体管配置为在被激活时由所述第二操作电压信号获得第二电流，以调整所述最大操作电压信号以补偿所述最大操作电压信号中的波动。

6.根据权利要求5所述的选择电路，其中，所述第一二极管接法的晶体管和所述第二二极管接法的晶体管包括：

二极管接法的p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。

7.根据权利要求5所述的选择电路，其中，所述第一二极管接法的晶体管配置为：在所述最大操作电压信号比所述第一操作电压信号小所述第一二极管接法的晶体管的第一阈值电压时，所述第一二极管接法的晶体管被激活，以及

其中，所述第二二极管接法的晶体管配置为：在所述最大操作电压信号比所述第二操作电压信号小所述第二二极管接法的晶体管的第二阈值电压时，所述第二二极管接法的晶体管被激活。

8.一种用于存储器存储系统的选择电路，所述选择电路包括：

开关电路，具有多个晶体管，配置为将从多个操作电压信号中选择的操作电压信号提供给所述存储器存储系统；以及

防闩锁电路，具有第一二极管接法的晶体管和第二二极管接法的晶体管，配置为将从所述多个操作电压信号中选择的最大操作电压信号施加至所述第一二极管接法的晶体管的第一块状端子和所述第二二极管接法的晶体管的第二块状端子，

其中，所述第一二极管接法的晶体管和所述第二二极管接法的晶体管分别连接至所述多个操作电压信号中的第二操作电压信号和第三操作电压信号，

其中，所述第一二极管接法的晶体管配置为在被激活时由所述第二操作电压信号获得第一电流，以调整所述最大操作电压信号以补偿所述最大操作电压信号中的波动，以及

其中，所述第二二极管接法的晶体管配置为在被激活时由所述第三操作电压信号获得第二电流，以调整所述最大操作电压信号以补偿所述最大操作电压信号中的波动。