[发明专利]选择电路、用于存储器存储系统的防闩锁电路及方法

说明书

本发明的实施例提供了选择电路、用于存储器存储系统的防闩锁电路及方法。公开了用于可配置存储器存储系统的各个实施例。可配置存储器存储选择性地从多个操作电压信号中选择操作电压信号以动态地控制各个操作参数。例如，可配置存储器存储系统选择性地从多个操作电压信号中选择最大操作电压信号以最大化读取/写入速度。作为另一实例，可配置存储器存储系统选择性地从多个操作电压信号中选择最小操作电压信号以最小化功耗。此外，可配置存储器存储系统选择性地将最大操作电压信号提供给其一些晶体管的块状(B)端子，以防止闩锁这些晶体管。在一些情况下，可配置存储器存储系统可动态地调节最大操作电压信号以补偿最大操作电压信号中的波动。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及存储系统，更具体地，涉及选择电路、用于存储器存储系统的防闩锁电路及方法。

背景技术

存储器存储系统是用于读取和/或写入电子数据的电子器件。存储器存储系统包括存储器单元阵列，其中，存储器单元阵列可以实现为诸如随机存取存储器(RAM)单元的易失性存储器单元，其中，该易失性存储器单元需要电源来保持其存储的信息；或实现为诸如只读存储器(ROM)单元的非易失性存储器单元，其中，该非易失性存储器单元即使在不供电时也能保持其存储的信息。可以从存储器单元阵列中读取电子数据和/或将电子数据写入到存储器单元阵列中，其中，可以通过各种控制线访问存储器单元阵列。由存储器件实施的两个基本操作是“读取”，其中，读出存储在存储器单元阵列中的电子数据；和“写入”，其中，将电子数据写入到存储器单元阵列中。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种选择电路，用于选择性地将操作电压信号提供给存储器存储系统，所述选择电路包括：开关电路，具有多个晶体管，配置为从多个操作电压信号中选择所述操作电压信号，选择性地将所述多个操作电压信号中的最大操作电压信号施加至所述多个晶体管的块状端子；以及防闩锁电路，配置为动态地调节所述最大操作电压信号以补偿所述最大操作电压信号中的波动。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于存储器存储系统的选择电路，所述选择电路包括：开关电路，具有多个晶体管，配置为将从多个操作电压信号中选择的操作电压信号提供给所述存储器存储系统；以及防闩锁电路，具有第一连接为二极管的晶体管和第二连接为二极管的晶体管，配置为将从所述多个操作电压信号中选择的最大操作电压信号施加至所述第一连接为二极管的晶体管的第一块状端子和所述第二连接为二极管的晶体管的第二块状端子，其中，所述第一连接为二极管的晶体管和所述第二连接为二极管的晶体管分别连接至所述多个操作电压信号中的第二操作电压信号和第三操作电压信号，其中，所述第一连接为二极管的晶体管配置为在被激活时由所述第二操作电压信号获得第一电流，以调整所述最大操作电压信号以补偿所述最大操作电压信号中的波动，以及其中，所述第二连接为二极管的晶体管配置为在被激活时由所述第三操作电压信号获得第二电流，以调整所述最大操作电压信号以补偿所述最大操作电压信号中的波动。

根据本发明的又一方面，提供了一种用于防止闩锁存储器存储系统的方法，所述方法包括：通过存储器存储系统将从多个操作电压信号中选择的最大操作电压信号施加至所述存储器存储系统的至少一个晶体管的至少一个块状区和所述至少一个晶体管的至少一个栅极区；以及当所述最大操作电压信号在所述多个操作电压信号中的第一操作电压信号以下波动时，通过所述存储器存储系统增加所述最大操作电压信号。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1示出根据本发明的示例性实施例的示例性存储器存储系统的框图；

图2A示出根据本发明的示例性实施例的可在示例性存储器存储系统内实现的第一示例性存储器件的框图；

图2B示出根据本发明的示例性实施例的可在示例性存储器存储系统内实现的第二示例性存储器件的框图；