[发明专利]基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法在审
| 申请号： | 201910375830.5 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110196258A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡齐航;谢亚珍;康冀恺;刘怡良;余维松;许雅雯 | 申请（专利权）人： | 宜特（上海）检测技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/20058 | 分类号： | G01N23/20058 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 201103 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法包括以下步骤：步骤1：在TEM衍射条件下，倾转试片使双束菊池线(1)对分别通过直射点(2)和衍射点(3)的中心，偏离因子s等于0，此时TEM影像图中样品的缺陷模糊；步骤2：继续倾转试片，使双束菊池线(1)对向衍射点(3)的方向移动，使双束菊池线(1)从直射点(2)和衍射点(3)的中心偏离，偏离因子s大于0，此时TEM影像图中样品的缺陷清晰；步骤3：在步骤2的衍射条件下，找到缺陷位置并拍摄缺陷的明场像图片。本发明利用偏离因子s稍大于零的条件下明场像具有最大影像强度的原理，对光电材料平面结构进行缺陷分析，可在TEM中直观且清晰的看到缺陷的详细形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 衍射 平面样品 衍射条件 偏离 直射 明场像 影像图 倾转 试片 拍摄 形貌 方向移动 光电材料 平面结构 缺陷分析 缺陷位置 中心偏离 清晰 对向 影像 直观 模糊 图片 | ||
【主权项】：
1.一种基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法，其特征是：包括以下步骤：步骤1：在TEM衍射条件下，倾转试片使双束菊池线(1)对分别通过直射点(2)和衍射点(3)的中心；步骤2：继续倾转试片，使双束菊池线(1)对向衍射点(3)的方向同步移动，使双束菊池线(1)从直射点(2)和衍射点(3)的中心偏离；步骤3：在步骤2的衍射条件下，找到缺陷位置并拍摄缺陷的明场像图片。
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