[发明专利]包含二维半导电性材料的纳米片场效晶体管在审
| 申请号： | 201910354743.1 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110556376A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 朱利安·弗罗吉尔;谢瑞龙;尼可拉斯·罗贝特;程慷果;李俊涛 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/24 |
| 代理公司： | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及包含二维半导电性材料的纳米片场效晶体管，其揭示用于场效晶体管的结构、以及形成用于场效晶体管的结构的方法。多个沟道层是设置于层堆叠中，并且源极/漏极区与该多个沟道层连接。栅极结构包括多个区段，所述区段分别围绕该多个沟道层。该多个沟道层含有二维半导电性材料。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 半导电性材料 场效晶体管 二维 源极/漏极区 栅极结构 层堆叠 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种用于场效晶体管的结构，该结构包含：/n多个沟道层，设置于层堆叠中；/n源极/漏极区，与该多个沟道层连接；以及/n栅极结构，包括多个区段，所述区段分别围绕该多个沟道层，/n其中，该多个沟道层是由二维半导电性材料所构成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
