[发明专利]等离子腔室及其基片承载装置

摘要

本发明提供了一种等离子腔室及其基片承载装置，基片承载装置包括：加热平台以及贯穿于所述加热平台的若干升降顶针；所述加热平台用于对待加工的基片提供热量；所述若干升降顶针用于将所述基片顶起脱离所述加热平台或落下将所述基片落于所述加热平台；其中，所述加热平台包括传热基体，所述升降顶针包括顶针杆以及顶针帽，所述顶针帽的导热系数大于所述顶针杆的导热系数，且所述顶针帽的导热系数大于等于或小于等于所述传热基体的导热系数。本发明能提高与基片接触的顶针帽的热传递性能，且顶针帽与传热基体的热传递性能接近，能使加热平台上表面的温度场分布均匀，进而传热到基片上的温度场分布均匀，提高基片上成膜的均匀性。

主权项

1.一种基片承载装置，所述基片承载装置设置于等离子腔室内，其特征在于，包括：加热平台以及贯穿于所述加热平台的若干升降顶针；所述加热平台用于对待加工的基片提供热量；所述若干升降顶针用于将所述基片顶起脱离所述加热平台或落下将所述基片落于所述加热平台；所述加热平台包括传热基体，所述升降顶针包括顶针杆以及顶针帽，所述顶针帽的导热系数大于所述顶针杆的导热系数，且所述顶针帽的导热系数大于等于或小于等于所述传热基体的导热系数。