[发明专利]等离子腔室及其基片承载装置

权利要求书

1.一种基片承载装置，所述基片承载装置设置于等离子腔室内，其特征在于，包括：加热平台以及贯穿于所述加热平台的若干升降顶针；所述加热平台用于对待加工的基片提供热量；所述若干升降顶针用于将所述基片顶起脱离所述加热平台或落下将所述基片落于所述加热平台；

所述加热平台包括传热基体，所述升降顶针包括顶针杆以及顶针帽，所述顶针帽的导热系数大于所述顶针杆的导热系数，且所述顶针帽的导热系数与所述传热基体的导热系数的比值介于0.85~1.15；所述加热平台还包括位于所述传热基体内的加热线圈，所述加热线圈的至少部分沿着所述顶针杆的延伸方向围绕所述顶针帽呈螺旋状排布。

2.根据权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述顶针帽的导热系数与所述传热基体的导热系数的比值介于0.95~1.05。

3.根据权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述顶针帽的导热系数与所述传热基体的导热系数相同。

4.根据权利要求3所述的基片承载装置，其特征在于，所述顶针帽的材料与所述传热基体的材料相同。

5.根据权利要求4所述的基片承载装置，其特征在于，所述材料为金属材料。

6.根据权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述顶针帽的高度与所述加热平台的厚度之比的范围为：1/3~2/3。

7.根据权利要求1或6所述的基片承载装置，其特征在于，所述顶针杆的材料为陶瓷。

8.根据权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述顶针帽的最大外径大于所述顶针杆的最大外径；所述加热平台包括若干贯穿孔，所述贯穿孔包括沿所述顶针杆的延伸方向向外依次设置的细长孔与凹槽，且所述细长孔与所述凹槽连通，所述细长孔的形状与所述顶针杆的形状匹配，所述凹槽的形状与所述顶针帽的形状匹配。

9.根据权利要求8所述的基片承载装置，其特征在于，所述顶针帽包括相对的连接端与自由端，所述顶针帽自所述连接端至自由端逐渐膨大呈倒梯形设置；相应地，所述凹槽沿所述顶针杆的延伸方向向外膨大呈倒梯形设置。

10.根据权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述顶针帽的材料为金属材料，所述加热线圈的至少部分围绕所述顶针帽设置。

11.根据权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述加热线圈外包覆有耐热绝缘层。

12.根据权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述顶针杆与顶针帽为可拆卸连接。

13.根据权利要求12所述的基片承载装置，其特征在于，所述可拆卸连接为螺纹连接。

14.一种等离子腔室，其特征在于，包括权利要求1至13任一项所述的基片承载装置。

15.根据权利要求14所述的等离子腔室，其特征在于，所述等离子腔室用于化学气相沉积工艺。