[发明专利]T型栅制备方法在审
| 申请号： | 201910346827.0 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110010457A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提出一种T型栅制备方法，包括：在所述介质层上形成第一光刻胶层,并在所述第一光刻胶层形成凹槽；使用物理气相沉积的方法,对晶圆表面进行倾斜蒸镀，在所述第一光刻胶层上形成掩膜层金属，并在所述凹槽底部形成部分没有掩膜层覆盖的区域；对所述没有掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，在所述介质层形成栅根凹槽后去除所述第一光刻胶层和掩膜层；在晶圆表面上旋涂形成第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行光刻，使所述栅根凹槽形成为栅极窗口；采用金属蒸镀的方法在所述栅极窗口内沉积金属层，形成T型栅。本申请所提出的T型栅制备方法，无论采用哪种光刻胶，均能使T型栅的栅根线宽能够满足器件对线宽需求。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶层 掩膜层 制备 晶圆表面 介质层 物理气相沉积 沉积金属层 凹槽形成 金属蒸镀 倾斜蒸镀 光刻胶 对线 光刻 刻蚀 上旋 线宽 覆盖 去除 申请 金属 | ||
【主权项】：
1.一种T型栅制备方法，其特征在于，包括：提供一外延结构，在所述外延结构上形成介质层；在所述介质层上形成第一光刻胶层,并在所述第一光刻胶层形成凹槽；进行倾斜蒸镀，在所述第一光刻胶层上形成掩膜层，并在所述凹槽底部形成部分没有掩膜层覆盖的区域；对所述没有掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，在所述介质层形成栅根凹槽后去除所述第一光刻胶层和掩膜层；在晶圆表面上旋涂形成第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行光刻，使所述栅根凹槽形成为栅极窗口；采用金属蒸镀的方法在所述栅极窗口内沉积金属层，形成T型栅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州汉骅半导体有限公司，未经苏州汉骅半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910346827.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构的制造方法
- 下一篇：基片处理方法和基片处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
