[发明专利]T型栅制备方法在审
| 申请号： | 201910346827.0 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110010457A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻胶层 掩膜层 制备 晶圆表面 介质层 物理气相沉积 沉积金属层 凹槽形成 金属蒸镀 倾斜蒸镀 光刻胶 对线 光刻 刻蚀 上旋 线宽 覆盖 去除 申请 金属 | ||
1.一种T型栅制备方法，其特征在于，包括：
提供一外延结构，在所述外延结构上形成介质层；
在所述介质层上形成第一光刻胶层,并在所述第一光刻胶层形成凹槽；
进行倾斜蒸镀，在所述第一光刻胶层上形成掩膜层，并在所述凹槽底部形成部分没有掩膜层覆盖的区域；
对所述没有掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，在所述介质层形成栅根凹槽后去除所述第一光刻胶层和掩膜层；
在晶圆表面上旋涂形成第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行光刻，使所述栅根凹槽形成为栅极窗口；
采用金属蒸镀的方法在所述栅极窗口内沉积金属层，形成T型栅。
2.根据权利要求1所述的T型栅制备方法，其特征在于，所述金属层包括包括多层金属薄膜。
3.根据权利要求1所述的T型栅制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度大于0.5微米。
4.根据权利要求1所述的T型栅制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的光刻方法包括深紫外步进式光刻、电子束光刻、i-line步进式光刻或者i-line接触式光刻。
5.根据权利要求1所述的T型栅制备方法，其特征在于，所述去除所述第一光刻胶层和掩膜层图形的步骤包括：首先将掩模层使用金属刻蚀剂溶液去除，然后将所述第一光刻胶层溶解在有机溶剂中。
6.根据权利要求1所述的T型栅制备方法，其特征在于，使用含氟等离子体干法刻蚀的方法形成所述栅根凹槽。
7.根据权利要求1所述的T型栅制备方法，其特征在于，所述倾斜蒸镀过程包括：
晶圆所在位置距离蒸发源有超过10cm以上的距离；
使晶圆相对蒸发源形成倾斜角度；
蒸发的金属原子通过一腔室，所述腔室内内使用氩气等离子体对通过的金属原子进行轰击，使金属原子在通过腔室后由中性变为带电金属离子；
在所述晶圆端施加电压，使所述金属离子在通过腔室后沿直线向所述晶圆端运动。
8.根据权利要求7所述的T型栅制备方法，其特征在于，所述倾斜角度为相对于所述衬底平面的10度-60度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
