[发明专利]一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法有效
| 申请号： | 201910344555.0 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110067026B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘星;刘鹏飞;窦文涛;梁庆瑞;梁晓亮;张红岩;刘圆圆 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 赵长林 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法，属于晶体生长领域。该碳化硅单晶的PVT长晶方法包括下述步骤：提供一长晶装置，该长晶装置包括重量传感器、坩埚和在坩埚内可升降的装料部，所述装料部用于装载碳化硅原料，所述重量传感器用于检测装料部内碳化硅原料重量；将装料部装载碳化硅粉料后进行长晶，长晶包括第一长晶阶段和第二长晶阶段，调整装料部的不同部分置于坩埚内的高温区进行长晶。该PVT长晶方法可精确自动控制装料部在热场中的位置，碳化硅单晶长晶环境稳定，生长的碳化硅晶体的质量高，可充分挥发碳化硅长晶原料，提高了长晶原料的利用率，节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 及其 pvt 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶的PVT长晶方法，其特征在于，包括下述步骤：提供一长晶装置，该长晶装置包括籽晶、坩埚和在坩埚内可向籽晶方向升降的装料部，所述装料部用于装载碳化硅原料；将装料部装载碳化硅粉料后进行长晶制备碳化硅单晶，所述的长晶步骤包括：第一长晶阶段：装料部的1/2高度以下的任一部分置于坩埚内的高温区，此阶段碳化硅原料升华率小于第一升华率；第二长晶阶段：当碳化硅原料升华率为第一升华率时，降低装料部以使装料部受高温区加热的部分上移，当碳化硅原料升华率为第二升华率时，停止降低装料部，降温冷却，即制得所述的碳化硅单晶；其中，所述第一升华率为30％‑60％，所述第二升华率为70％‑90％。
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