[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910342961.3 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110021661B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;朱廷刚;杨智超;夏远洋;王强;张葶葶 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨奇松 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，其中，基于P型半导体层的表面并结合原位生长的方式在该半导体器件中的栅极与P型半导体层之间制作形成N型半导体层，使得P型半导体层与N型半导体层可共同构成反向偏置的n/p结，从而大幅降低栅极漏电流，提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括异质结构以及与该异质结构连接的源极、漏极和栅极，所述异质结构包括：基底；基于所述基底制作形成的沟道层；基于所述沟道层远离所述基底一侧制作形成的势垒层；基于所述势垒层远离所述沟道层的一侧制作形成的P型半导体层；基于所述P型半导体层远离所述势垒层的表面通过原位生长形成的N型半导体层；其中，所述源极和所述漏极基于所述沟道层制作形成，且位于所述势垒层的相对两端，所述栅极制作于所述N型半导体层上方并与该N型半导体层接触。
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