[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910342961.3 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110021661B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;朱廷刚;杨智超;夏远洋;王强;张葶葶 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨奇松 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括异质结构以及与该异质结构连接的源极、漏极和栅极，所述异质结构包括：
基底；
基于所述基底制作形成的沟道层；
基于所述沟道层远离所述基底一侧制作形成的势垒层；
基于所述势垒层远离所述沟道层的一侧制作形成的P型半导体层；
基于所述P型半导体层远离所述势垒层的表面通过原位生长形成的N型半导体层；
其中，所述源极和所述漏极基于所述沟道层制作形成，且位于所述势垒层的相对两端，所述栅极制作于所述N型半导体层上方并与该N型半导体层接触；
所述异质结构还包括基于所述N型半导体层远离所述P型半导体层的表面通过原位生长形成的低温半导体帽层；或者，
基于所述P型半导体层靠近所述N型半导体层的表面并通过原位生长形成的低温半导体帽层；
所述N型半导体层上开设有通孔，所述栅极通过所述通孔与所述P型半导体层接触。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述N型半导体层中掺杂有浓度为1e17～1e19cm-3的硅杂质，且所述N型半导体层的厚度为10nm～200nm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述低温半导体帽层的形成温度为450℃～600℃。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述低温半导体帽层的厚度为2nm～50nm。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基底包括衬底，以及基于该衬底制作形成的缓冲层，该缓冲层位于所述衬底和所述沟道层之间。
6.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一基底；
基于所述基底制作形成沟道层；
在所述沟道层的一侧制作形成源极、漏极以及势垒层，所述源极和所述漏极分别位于所述势垒层的两端；
在所述势垒层远离所述沟道层的一侧制作形成P型半导体层；
在所述P型半导体层远离所述势垒层的表面通过原位生长形成N型半导体层；
在所述N型半导体层远离所述P型半导体层的表面制作形成栅极；
在所述N型半导体层远离所述P型半导体层的表面制作形成栅极的步骤，包括：
在所述N型半导体层远离所述P型半导体层的表面通过原位生长形成低温半导体帽层；
对所述N型半导体层和所述低温半导体帽层进行刻蚀，以在所述N型半导体层和所述低温半导体帽层上形成通孔；
基于所述低温半导体帽层远离所述N型半导体层的一侧制作形成栅极，且所述栅极通过所述通孔与所述P型半导体层接触。
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