[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包含衬底、第1绝缘膜、积层体及第1柱。所述衬底的上层部分的至少一部分为导电性。所述第1绝缘膜设置在所述衬底上的一部分。所述积层体是将导电膜及绝缘膜在第1方向上交替地积层。所述导电膜与所述绝缘膜设置在所述衬底上及所述第1绝缘膜上。所述第1柱在所述第1方向上贯通所述积层体。所述第1柱包含第1下端部及第1延伸部。所述第1下端部配置在所述第1绝缘膜内。所述第1延伸部配置在所述积层体内。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：硅衬底；导电性膜，设置在所述硅衬底的上方；第1绝缘膜，设置在所述导电性膜上，与所述导电性膜相接；积层体，设置在所述导电性膜上及所述第1绝缘膜上，将多个第1导电膜在第1方向上积层；以及第2导电膜，在所述第1方向上延伸于所述积层体内，包含硅，且包含透过配置在所述第1绝缘膜内而与所述导电性膜绝缘的第1下端部及配置在所述积层体内的第1延伸部。