[发明专利]包括电阻器结构的半导体器件在审
| 申请号： | 201910312015.4 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110828427A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 李太熙;甘喜星;金敬勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，其包括衬底，所述衬底包括电阻器区域、位于电阻器区域中的多个下图案以及位于多个下图案上且位于电阻器区域中的衬底上的电阻器线图案。多个下图案在与衬底的表面平行的第一方向上延伸，并且在与第一方向垂直且与衬底的表面平行的第二方向上彼此间隔开。电阻器线图案在第二方向上延伸。位于下图案上的电阻器线图案具有在与衬底的表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电阻器 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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