[发明专利]包括电阻器结构的半导体器件

说明书

提供了一种半导体器件，其包括衬底，所述衬底包括电阻器区域、位于电阻器区域中的多个下图案以及位于多个下图案上且位于电阻器区域中的衬底上的电阻器线图案。多个下图案在与衬底的表面平行的第一方向上延伸，并且在与第一方向垂直且与衬底的表面平行的第二方向上彼此间隔开。电阻器线图案在第二方向上延伸。位于下图案上的电阻器线图案具有在与衬底的表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0092292的优先权，通过引用将其全部公开内容并入本文。

技术领域

本公开的示例实施例涉及半导体器件，更具体地，涉及包括电阻器结构的半导体器件。

背景技术

半导体器件包括主单元区域和用于驱动主单元的外围区域。在外围区域中，诸如晶体管、电阻器结构、电容器和/或电感器之类的各种器件被设置为形成外围电路。然而，为了获得外围电路中包括的电阻器结构的期望电阻，电阻器结构会占据相对大的面积。将大面积用于电阻器结构会增加半导体器件的成本，限制器件可与其他组件集成的程度，或者增加制造成本。

发明内容

根据本发明构思的示例实施例，半导体器件可以包括衬底，所述衬底包括电阻器区域、位于所述电阻器区域中的多个下图案以及位于所述多个下图案上且位于所述电阻器区域中的所述衬底上的电阻器线图案。所述多个下图案可以在与所述衬底的表面平行的第一方向上延伸，并且可以布置为在与所述第一方向垂直且与所述衬底的表面平行的第二方向上彼此间隔开。所述电阻器线图案可以在所述第二方向上延伸。位于所述下图案上的所述电阻器线图案可以具有在与所述衬底的所述表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。

根据本发明构思的示例实施例，半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域和电阻器区域；多个下图案，所述多个下图案位于所述电阻器区域中；电阻器线图案，所述电阻器线图案位于所述多个下图案上并且位于所述电阻器区域中的所述衬底上；以及单元图案，所述单元图案位于所述单元区域中。所述多个下图案可以在与所述衬底的表面平行的第一方向上延伸，并且可以布置为在与所述第一方向垂直且与所述衬底的所述表面平行的第二方向上彼此间隔开。所述电阻器线图案可以沿所述第二方向延伸。位于所述下图案上的所述电阻器线图案可以具有在与所述衬底的所述表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。所述单元图案可以包括与所述多个下图案中的每个下图案相同的材料和相同的堆叠结构。

根据本发明构思的示例实施例，半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域、晶体管区域和电阻器区域；多个下图案，所述多个下图案位于所述电阻器区域中；电阻器线图案，所述电阻器线图案位于所述多个下图案上以及位于所述电阻器区域中的所述衬底上；单元图案，所述单元图案位于所述单元区域中；以及栅极结构，所述栅极结构位于所述晶体管区域中。所述多个下图案可以在与所述衬底的表面平行的第一方向上延伸，并且可以布置为在与所述第一方向垂直且与所述衬底的所述表面平行的第二方向上彼此间隔开。所述电阻器线图案可以沿所述第二方向延伸。位于所述下图案上的所述电阻器线图案可以具有在与所述衬底的所述表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。所述单元图案可以与所述多个下图案中的每个下图案包括相同的材料和相同的结构。

附图说明

图1是示出根据示例实施例的半导体器件的电阻器结构的俯视图。

图2、图3和图4是示出根据示例实施例的半导体器件的电阻器结构的横截面视图。

图5至图12是示出根据示例实施例的形成半导体器件的电阻器结构的方法的横截面视图。

图13是示出根据示例实施例的半导体器件的电阻器结构的横截面视图。

图14是示出根据示例实施例的半导体器件的电阻器结构的横截面视图。