[发明专利]包括电阻器结构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

衬底，所述衬底包括电阻器区域；

多个下图案，所述多个下图案在所述电阻器区域中，其中，所述多个下图案在与所述衬底的表面平行的第一方向上延伸，并且在与所述第一方向垂直且与所述衬底的所述表面平行的第二方向上彼此间隔开；以及

电阻器线图案，所述电阻器线图案位于所述多个下图案上且位于所述电阻器区域中的所述衬底上，其中，所述电阻器线图案在所述第二方向上延伸，并且位于所述下图案上的所述电阻器线图案在与所述衬底的所述表面垂直的第三方向上具有升高部分，以形成波浪形状。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器区域包括位于所述衬底中的隔离图案或位于所述衬底上的层间绝缘层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个下图案包括绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个下图案中的每个下图案具有平坦的上表面和在所述第二方向上倾斜的侧壁。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器线图案包括多个电阻器线图案，

其中，所述多个电阻器线图案在所述第一方向上彼此间隔开。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个电阻器线图案中的相邻的电阻器线图案的端部合并成合并部分，所述合并部分在所述第一方向上具有增加的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器线图案包括第一部分、第三部分以及连接所述第一部分和所述第三部分的第二部分，参照所述衬底的所述表面，所述第一部分的上表面和下表面具有高的高度，参照所述衬底的所述表面，所述第三部分的上表面和下表面具有低的高度，所述第二部分具有倾斜的上表面和下表面。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

层间绝缘层，所述层间绝缘层位于所述电阻器线图案上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

接触插塞，所述接触插塞穿透所述层间绝缘层以接触所述电阻器线图案。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底还包括单元区域，

其中，所述半导体器件还包括位于所述单元区域中的单元图案，所述单元图案具有与所述多个下图案中的每个下图案相同的堆叠结构和相同的材料。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，取决于在所述电阻器区域中的位置，所述多个下图案具有相同的形状或不同的形状。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个下图案设置在所述电阻器区域的一部分中。

13.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

衬底，所述衬底包括单元区域和电阻器区域；

多个下图案，所述多个下图案位于所述电阻器区域中，其中，所述多个下图案在与所述衬底的表面平行的第一方向上延伸，并且在与所述第一方向垂直且与所述衬底的所述表面平行的第二方向上彼此间隔开；

电阻器线图案，所述电阻器线图案位于所述多个下图案上并且位于所述电阻器区域中的所述衬底上，其中，所述电阻器线图案在所述第二方向上延伸，并且位于所述下图案上的所述电阻器线图案具有在与所述衬底的所述表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面；以及

单元图案，所述单元图案位于所述单元区域中，其中，所述单元图案包括与所述多个下图案中的每个下图案相同的材料和相同的堆叠结构。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述多个下图案中的每个下图案具有平坦的上表面和在所述第二方向上倾斜的侧壁，并且包括绝缘材料。