[发明专利]具有掩埋沟道阵列晶体管的极低温半导体器件有效
| 申请号： | 201910285190.9 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110649021B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘敏秀;朴峸慜 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有掩埋沟道阵列晶体管的极低温半导体器件包括：隔离区，其对衬底中具有第一P型离子浓度的有源区进行限定；衬底中的栅极结构；以及离子注入区，其在栅极结构下方的有源区中并且具有第二P型离子浓度，其中，栅极结构包括：栅极电介质层，其共形地设置在栅极沟槽的内侧壁上；下栅电极，其设置在栅极电介质层上；以及上栅电极，其设置在下栅电极上，其中，下栅电极具有比上栅电极相对更低的功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 沟道 阵列 晶体管 低温 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种极低温半导体器件，包括：/n隔离区，其对衬底中具有第一P型离子浓度的有源区进行限定；/n栅极结构，其设置在所述衬底中；以及/n离子注入区，其在所述栅极结构下方的所述有源区中并且具有第二P型离子浓度，/n其中，所述栅极结构包括：/n栅极电介质层，其共形地设置在栅极沟槽的内侧壁上；以及/n设置在所述栅极电介质层上的下栅电极和设置在所述下栅电极上的上栅电极，/n其中，所述下栅电极具有比所述上栅电极相对更低的功函数。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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