[发明专利]采用2D材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件在审
| 申请号： | 201910282654.0 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109980061A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王晓靁;刘家桓;宋高梅 | 申请（专利权）人： | 王晓靁 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32;H01L33/20;H01S5/02 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 中国台湾台南市东区新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了采用2D材料磊晶去疵单晶基板，在低成本GaN单晶基板或其他低成本的GaN准同质材料单晶基板上采用阻隔效果的2D材料范德华外延生长2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上范德华外延生长高质量GaN或GaN基外延层，2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成，准同质材料单晶基板外延的条件范围为：晶格常数不匹配度不大于5％以及热膨胀系数差异不大于1.5×10‑6℃‑1。本发明还公开了制备方法以及其制作组件。本发明可获得高质量GaN单晶基板，将外延及组件工序简化，使得采用的基板材料选择可能性更为宽广，制造成本大大降低，有利于市场推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶基板 超薄层 同质材料 外延生长 低成本 磊晶 制备 热膨胀系数差异 单一材料 工序简化 基板材料 晶格常数 市场推广 制造成本 匹配度 中介层 迭层 制作 阻隔 应用 | ||
【主权项】：
1.采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：在低成本GaN单晶基板或低成本的GaN准同质材料单晶基板上采用阻隔效果的2D材料范德华外延生长2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上范德华外延生长高质量GaN或GaN基外延层，2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成，准同质材料单晶基板外延的条件范围为：晶格常数不匹配度不大于5％以及热膨胀系数差异不大于1.5×10‑6℃‑1。
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