[发明专利]堆叠状的III-V族半导体构件

摘要

一种堆叠状的III‑V族半导体构件(10)，其具有堆叠(100)，该堆叠具有上侧(102)、下侧(104)、侧面(106)和纵轴线(L)；其中，堆叠(100)具有p+区域(12)，n‑层(14)和n+区域(16)；p+区域(12)、n‑层(14)和n+区域(16)沿纵轴线(L)以所提及的顺序彼此相继，单片地构造且包括GaAs化合物；n+区域(16)或p+区域(12)构造为衬底层；堆叠(100)在侧面(106)的区域内具有环绕的凸肩状的第一和第二边缘(110、120)；第一边缘(110)由衬底层构成；第二边缘(120)由n‑层(16)或由邻接n‑层(16)和p+区域(12)的中间层(18)构成；并且环绕的第一和第二边缘(110、120)分别具有至少10μm的宽度。

主权项

1.一种堆叠状的III‑V族半导体构件(10)，所述III‑V族半导体构件具有：堆叠(100)，所述堆叠具有上侧(102)、下侧(104)、侧面(106)以及纵轴线(L)，所述侧面连接所述上侧(102)和所述下侧(104)，所述纵轴线延伸通过所述上侧(102)和所述下侧(104)；其中，所述堆叠(100)具有p⁺区域(12)，所述p⁺区域包括上侧、下侧和5·10¹⁸‑5·10²⁰N/cm³的掺杂剂浓度；所述堆叠(100)具有n^‑层(14)，所述n^‑层具有上侧和下侧、10¹²‑10¹⁷N/cm³的掺杂剂浓度和10‑300μm的层厚(D2)；所述堆叠(100)具有n⁺区域(16)，所述n⁺区域具有上侧、下侧和至少10¹⁹N/cm³的掺杂剂浓度；所述p⁺区域(12)、所述n^‑层(14)和所述n⁺区域(16)沿所述堆叠(100)的所述纵轴线(L)以所提及的顺序彼此相继，分别单片地构造并且分别包括GaAs化合物或者分别由GaAs化合物组成；并且所述n⁺区域(16)或所述p⁺区域(12)构造为衬底层；其特征在于，所述堆叠(100)在所述侧面(106)的区域内具有环绕的凸肩状的第一边缘(110)和环绕的凸肩状的第二边缘(120)；所述第一边缘(110)由所述衬底层构成；所述第二边缘(120)由所述n^‑层(14)或由邻接所述n^‑层(14)和所述p⁺区域(12)的中间层(18)构成；并且环绕的第一边缘(110)和环绕的第二边缘(120)分别具有至少10μm的宽度(B1、B2)。