[发明专利]堆叠状的III-V族半导体构件

权利要求书

1.一种堆叠状的III-V族半导体构件(10)，所述III-V族半导体构件具有：

堆叠(100)，所述堆叠具有上侧(102)、下侧(104)、侧面(106)以及纵轴线(L)，所述侧面连接所述上侧(102)和所述下侧(104)，所述纵轴线延伸通过所述上侧(102)和所述下侧(104)；其中，

所述堆叠(100)具有p⁺区域(12)，所述p⁺区域包括上侧、下侧和5·10¹⁸-5·10²⁰N/cm³的掺杂剂浓度；

所述堆叠(100)具有n^-层(14)，所述n^-层具有上侧和下侧、10¹²-10¹⁷N/cm³的掺杂剂浓度和10-300μm的层厚(D2)；

所述堆叠(100)具有n⁺区域(16)，所述n⁺区域具有上侧、下侧和至少10¹⁹N/cm³的掺杂剂浓度；

所述p⁺区域(12)、所述n^-层(14)和所述n⁺区域(16)沿所述堆叠(100)的所述纵轴线(L)以所提及的顺序彼此相继，分别单片地构造并且分别包括GaAs化合物或者分别由GaAs化合物组成；并且

所述n⁺区域(16)或所述p⁺区域(12)构造为衬底层；

其特征在于，

所述堆叠(100)在所述侧面(106)的区域内具有环绕的凸肩状的第一边缘(110)和环绕的凸肩状的第二边缘(120)；

所述第一边缘(110)由所述衬底层构成；

所述第二边缘(120)由所述n^-层(14)或由邻接所述n^-层(14)和所述p⁺区域(12)的中间层(18)构成；并且

环绕的第一边缘(110)和环绕的第二边缘(120)分别具有至少10μm的宽度(B1、B2)。

2.根据权利要求1所述的堆叠状的III-V族半导体构件(10)，其特征在于，至少沿所述堆叠(100)的所述侧面(106)的一部分在所述堆叠(100)中构造有通过注入产生的第一隔离层(20)。

3.根据权利要求1或2所述的堆叠状的III-V族半导体构件(10)，其特征在于，至少沿所述堆叠(100)的所述侧面(106)的一部分延伸有第二隔离层(22)。

4.根据权利要求1或2所述的堆叠状的III-V族半导体构件(10)，其特征在于，所述半导体构件(10)包括第一接通层(K1)和第二接通层(K2)，其中，所述第二接通层(K2)部分地覆盖所述堆叠(100)的上侧(102)，并且所述堆叠(100)的上侧(102)构成环绕的第三边缘(130)，所述第三边缘具有环绕所述第二接通层(K2)的至少10μm的宽度(B3)。

5.根据权利要求1或2所述的堆叠状的III-V族半导体构件(10)，其特征在于，

所述p⁺区域(12)和所述n⁺区域(16)层状地构造；

层状的所述n⁺区域(16)和层状的所述p⁺区域(12)分别与所述n^-层(14)材料锁合地连接；

层状的所述n⁺区域(16)具有50-675μm的层厚(D3)；

层状的所述p⁺区域具有大于2μm的层厚(D1)；并且

所述堆叠状的III-V族半导体构件(10)具有第一空穴层(30)，所述第一空穴层具有0.5μm至50μm之间的层厚(D4)；

其中，所述第一空穴层(30)布置在所述n^-层(14)内并且具有1·10¹³N/cm³至5·10¹⁶N/cm³之间的范围内的空穴浓度。