[发明专利]垂直半导体装置在审
| 申请号： | 201910276163.5 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110534524A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李炅奂;姜昌锡;金容锡;林濬熙;金森宏治 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11526 | 分类号： | H01L27/11526;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种垂直半导体装置，该垂直半导体装置包括其中绝缘图案和导电图案交替且重复地堆叠在基底上的导电图案结构。导电图案结构包括具有阶梯形状的边缘部分。导电图案中的每个导电图案包括与边缘部分中的阶梯的上表面对应的垫区域。垫导电图案被设置为接触垫区域的上表面的一部分。掩模图案设置在垫导电图案的上表面上。接触塞穿透掩模图案以接触垫导电图案。 | ||
| 搜索关键词： | 导电图案 上表面 垂直半导体装置 掩模图案 接触垫 阶梯形状 绝缘图案 接触塞 堆叠 基底 穿透 重复 | ||
【主权项】：
1.一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：/n基底；/n导电图案结构，在导电图案结构中，绝缘图案和导电图案交替且重复地堆叠在基底上，其中，导电图案结构包括具有阶梯形状的边缘部分，导电图案中的每个导电图案包括具有与边缘部分中的阶梯的上表面对应的上表面的垫区域；/n垫导电图案，接触垫区域的上表面的一部分；/n掩模图案，位于垫导电图案的上表面上；以及/n接触塞，穿透掩模图案以接触垫导电图案。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
