[发明专利]微型LED中表面重组损失的减少在审
| 申请号： | 201910258662.1 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN110323313A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·劳尔曼;史蒂芬·卢特根;大卫·黄 | 申请（专利权）人： | 脸谱科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/04;H01L33/00;G02B27/01 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘瑞贤 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了用于减少微型LED中的表面重组损失的系统及方法。在一些实施方案中，一种方法包括通过在半导体层的外部区域中植入离子来减少所述半导体层的所述外部区域中的横向载流子扩散。所述半导体层包括有源发光层。所述半导体层的输出耦合表面的直径小于10μm。所述半导体层的所述外部区域从所述半导体层的外表面延伸到所述半导体层的中心区域，所述中心区域在植入所述离子期间被掩模遮蔽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 外部区域 表面重组 中心区域 微型LED 植入 离子 输出耦合表面 载流子扩散 发光层 遮蔽 掩模 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：通过在半导体层的外部区域中植入离子来减少所述半导体层的所述外部区域中的横向载流子扩散，其中：所述半导体层包括有源发光层，所述半导体层的输出耦合表面的直径小于10μm，并且所述半导体层的所述外部区域从所述半导体层的外表面延伸到所述半导体层的中心区域，所述中心区域在植入所述离子期间被掩模遮蔽。
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