[发明专利]微型LED中表面重组损失的减少在审
| 申请号： | 201910258662.1 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN110323313A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·劳尔曼;史蒂芬·卢特根;大卫·黄 | 申请（专利权）人： | 脸谱科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/04;H01L33/00;G02B27/01 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘瑞贤 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 外部区域 表面重组 中心区域 微型LED 植入 离子 输出耦合表面 载流子扩散 发光层 遮蔽 掩模 延伸 | ||
1.一种方法，其包括：
通过在半导体层的外部区域中植入离子来减少所述半导体层的所述外部区域中的横向载流子扩散，其中：
所述半导体层包括有源发光层，
所述半导体层的输出耦合表面的直径小于10μm，并且
所述半导体层的所述外部区域从所述半导体层的外表面延伸到所述半导体层的中心区域，所述中心区域在植入所述离子期间被掩模遮蔽。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体层还包括与所述光输出耦合表面相邻的n侧半导体层和与所述有源发光层相对的p侧半导体层。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述离子从所述p侧半导体层的顶部表面植入到所述p侧半导体层内的深度。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述离子从所述p侧半导体层的顶部表面植入到所述有源发光层内的深度。
5.如权利要求2所述的方法，其中所述离子从所述p侧半导体层的顶部表面植入到所述n侧半导体层内的深度。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述离子包括氢离子或氦离子。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述离子具有在20keV至140keV之间的植入能量。
8.如权利要求6所述的方法，其中所述离子的植入剂量在1×1014cm-2至1x1016cm-2之间。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述离子相对于垂直于所述掩模的平面的轴以在0°至7°之间的角度植入。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模包括金属、抗蚀剂或硬掩模中的至少一者。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述金属的厚度小于1000nm，所述抗蚀剂的厚度小于2500nm，而所述硬掩模的厚度小于800nm。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体层的所述外部区域中的所述横向载流子扩散减小至小于1cm2/s。
13.一种发光二极管，其包括：
半导体层，其包括有源发光层，其中：
所述半导体层的输出耦合表面的直径小于10μm，
所述半导体层的外部区域中的横向载流子扩散小于所述半导体层的中心区域中的横向载流子扩散，并且
所述半导体层的所述外部区域包括植入所述半导体层的所述外部区域中的离子。
14.如权利要求13所述的发光二极管，其中所述半导体层还包括与所述光输出耦合表面相邻的n侧半导体层和与所述有源发光层相对的p侧半导体层。
15.如权利要求14所述的发光二极管，其中所述离子从所述p侧半导体层的顶部表面植入到所述p侧半导体层内的深度。
16.如权利要求14所述的发光二极管，其中所述离子从所述p侧半导体层的顶部表面植入到所述有源发光层内的深度。
17.如权利要求14所述的发光二极管，其中所述离子从所述p侧半导体层的顶部表面植入到所述n侧半导体层内的深度。
18.如权利要求13所述的发光二极管，其中所述离子包括氢离子或氦离子。
19.如权利要求13所述的发光二极管，其中所述半导体层的所述外部区域中的所述横向载流子扩散小于1cm2/s。
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