[发明专利]一维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列

摘要

本发明公开了一种一维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列，包括第一沟槽电极和第二沟槽电极，第一沟槽电极刻蚀和第二沟槽电极分别刻蚀在第三半导体基体表面；第一沟槽电极内嵌有第一中央电极，第一中央电极和第一沟槽电极间填充有第一半导体基体；第二沟槽电极内嵌有第二中央电极，第二沟槽电极和第二中央电极间填充有第二半导体基体；第一沟槽电极和第二沟槽电极的外宽均为2R_X，第二沟槽电极位于第一沟槽电极下方，且两者垂直相距d3、水平相距Rx。通过吸杂氧化工艺在芯片表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散，最后进行损伤修复及封装。

主权项

1.一维排列双面错嵌式三维探测器，其特征在于，包括第一沟槽电极(2)、第二沟槽电极(5)和第三半导体基体(7)，第一沟槽电极(2)刻蚀在第三半导体基体(7)上表面，第二沟槽电极(5)刻蚀在第三半导体基体(7)下表面；第一沟槽电极(2)内嵌有第一中央电极(3)，第一中央电极(3)和第一沟槽电极(2)之间填充有第一半导体基体(1)；第二沟槽电极(5)内嵌有第二中央电极(6)，第二沟槽电极(5)和第二中央电极(6)之间填充有第二半导体基体(4)；第一沟槽电极(2)和第二沟槽电极(5)的外长均为2R_X，第二沟槽电极(5)位于第一沟槽电极(2)下方，第二沟槽电极(5)上表面与第一沟槽电极(2)下表面垂直相距d3，第一中央电极(3)中心与第二中央电极(6)中心水平相距Rx。