[发明专利]三维存储器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种三维存储器件及其制备方法。该方法包括：提供形成有堆叠结构的衬底，所述堆叠结构包括堆栈层和位于所述堆栈层上的掩膜层，所述堆叠结构具有贯穿所述堆栈层和所述掩膜层的沟道孔，所述沟道孔包括至少穿过所述掩膜层的表层的掩膜部分和穿过所述堆栈层的堆栈部分，沿所述掩膜部分指向至所述堆栈部分的纵向方向上，所述掩膜部分的孔径逐渐增大，所述掩膜部分的孔径大于所述堆栈部分的孔径，且所述掩膜部分的斜度小于所述堆栈部分的斜度；在所述沟道孔形成NAND串。本发明所述三维存储器件的制备方法，减少了三维存储器件的制备步骤，简化三维存储器件的工艺流程，有利于提高三维存储器件的生产效率，进而提高产能。

主权项

1.一种三维存储器件的制备方法，其特征在于，包括：提供形成有堆叠结构的衬底，所述堆叠结构包括堆栈层和位于所述堆栈层上的掩膜层，所述堆叠结构具有贯穿所述堆栈层和所述掩膜层的沟道孔，所述沟道孔包括至少穿过所述掩膜层的表层的掩膜部分和穿过所述堆栈层的堆栈部分，沿所述掩膜部分指向所述堆栈部分的纵向方向上，所述掩膜部分的孔径逐渐增大，所述掩膜部分的孔径大于所述堆栈部分的孔径，且所述掩膜部分的斜度小于所述堆栈部分的斜度；在所述沟道孔内形成NAND串。