[发明专利]三维存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供形成有堆叠结构的衬底，所述堆叠结构包括堆栈层和位于所述堆栈层上的掩膜层，所述堆叠结构具有贯穿所述堆栈层和所述掩膜层的沟道孔，所述沟道孔包括至少穿过所述掩膜层的表层的掩膜部分和穿过所述堆栈层的堆栈部分，沿所述掩膜部分指向所述堆栈部分的纵向方向上，所述掩膜部分的孔径逐渐增大，所述掩膜部分的孔径大于所述堆栈部分的孔径，且所述掩膜部分的斜度小于所述堆栈部分的斜度；

在所述沟道孔内形成NAND串。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜部分的锥角大于10度。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜层由氧化物制成。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述“在所述沟道孔内形成NAND串”包括：在所述沟道孔内一次性填充绝缘材料，以在所述沟道孔内形成NAND串中芯柱的绝缘层。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的顶表面高于所述掩膜层面向所述堆栈层的表面。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述“在所述沟道孔内一次性填充绝缘材料，以在所述沟道孔内形成NAND串中芯柱的绝缘层”的过程中，采用原子层沉积的方式在所述沟道孔内形成所述绝缘层。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述“在所述沟道孔内形成NAND串”包括：

采用原子层沉积的方式在所述沟道孔内一次性沉积绝缘材料，以在所述沟道孔内形成绝缘材料层；

蚀刻所述绝缘材料层，形成所述绝缘层和位于所述NAND串顶部的凹槽；

在所述凹槽内形成导电塞。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述“蚀刻所述绝缘材料层”的过程中，采用化学气体蚀刻的方式蚀刻所述绝缘材料层。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述“提供形成有堆叠结构的衬底”包括：

提供衬底，在所述衬底的表面依次形成堆栈层和掩膜层；

一次性形成贯穿所述堆栈层和所述掩膜层的所述沟道孔。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述“提供形成有堆叠结构的衬底”包括：

提供衬底，在所述衬底的表面依次形成堆栈层和掩膜层；

形成贯穿所述掩膜层和所述堆栈层的功能孔，所述功能孔包括至少穿过所述掩膜层的表层的过渡部分；

蚀刻所述过渡部分的孔壁以形成所述掩膜部分。

11.如权利要求1所述的三维存储器件的制备方法，其特征在于，所述堆栈部分为截顶锥形或圆柱形。

12.如权利要求1所述三维存储器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜部分穿过整个所述掩膜层。

13.一种三维存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括堆栈层和位于所述堆栈层上的掩膜层；

以及穿过所述堆叠结构的NAND串，所述NAND串包括第一部分和第二部分，所述第一部分至少穿过所述掩膜层的表层，所述第二部分在纵向方向上位于所述第一部分靠近所述衬底的一侧；

在自所述第一部分指向所述第二部分的纵向方向上，所述第一部分的直径逐渐减小；

所述第一部分的直径大于所述第二部分的直径，且所述第一部分的斜度小于所述第二部分的斜度。

14.如权利要求13所述的三维存储器件，其特征在于，所述第二部分为截顶锥形或圆柱形。

15.如权利要求13所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一部分的锥角大于10度。