[发明专利]用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法在审
申请号: | 201910252334.0 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN109887872A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 李国强;孙佩椰;刘智崑;万利军;陈丁波;阙显沣;姚书南;李润泽 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065;H01L29/423;H01L29/778;H01J37/32 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法。本发明提供的装置包括电感耦合等离子体刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、机械泵及分子泵;电流检测装置与电感耦合等离子体刻蚀腔连接;电感线圈与电感耦合等离子体刻蚀腔连接;射频源与电感线圈连接;机械泵和分子泵与电感耦合等离子体刻蚀腔连接。该装置在制备HEMT器件的过程中,当显示电流为零时,二维电子气沟道被关断,达到刻蚀终点,避免过度刻蚀造成栅极漏电及损伤二维电子气沟道,实现精准刻蚀。本发明仅额外接一个电流检测装置,无需增添额外的操作步骤,即可实现精确刻蚀,操作简便,有利于提高增强型HEMT器件产品良率,具有很高的实用价值。 | ||
搜索关键词: | 电感耦合等离子体刻蚀 刻蚀 电流检测装置 电感线圈 制备 二维电子气沟道 增强型器件 刻蚀装置 分子泵 机械泵 射频源 增强型HEMT器件 漏电 产品良率 过度刻蚀 刻蚀终点 关断 零时 损伤 | ||
【主权项】:
1.一种用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置,其特征在于,包括电感耦合等离子体刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、机械泵及分子泵;所述电流检测装置通过导线与电感耦合等离子体刻蚀腔连接;所述电感线圈与电感耦合等离子体刻蚀腔连接;所述射频源与电感线圈连接;所述机械泵和分子泵与电感耦合等离子体刻蚀腔连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造