[发明专利]一种GaN纳米柱的制备方法以及一种LED器件在审
| 申请号： | 201910247542.1 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109980054A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;陈召龙;高鹏;高翾 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯研究院;北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王莹;于宝庆 |
| 地址： | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN纳米柱的制备方法，首先在蓝宝石衬底上形成石墨烯层，然后在所述石墨烯层上外延生长GaN纳米柱。本发明还提供了一种LED器件，依次包括蓝宝石衬底、形成于蓝宝石衬底上的石墨烯层以及生长于石墨烯层上的GaN纳米柱。本发明提供的制备方法可以缓解蓝宝石衬底与GaN之间的晶格与热失配，显著提高了GaN纳米柱的生长质量，石墨烯还可以作为LED器件的底电极，无需另外制备电极，本发明的制备方法简单，普适性高，适合工业生产，具有非常广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米柱 制备 蓝宝石 石墨烯层 衬底 外延生长 电极 生长 底电极 普适性 热失配 石墨烯 晶格 缓解 应用 | ||
【主权项】：
1.一种GaN纳米柱的制备方法，其特征在于，首先在蓝宝石衬底上形成石墨烯层，然后在所述石墨烯层上外延生长GaN纳米柱。
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