[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201910243387.6 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660726B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陈靖怡;卢炜业;陈泓旭;张志维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王宇航;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置及其形成方法。在接触插塞的黏合层上使用氮等离子体处理，氮等离子体处理的结果为氮并入到黏合层中。当接触插塞沉积在开口中时，在接触插塞和黏合层之间形成金属氮化物中间层。在绝缘层中的开口上使用氮等离子体处理，氮等离子体处理的结果为氮并入到开口处的绝缘层中。当接触插塞沉积在开口中时，在接触插塞和绝缘层之间形成金属氮化物中间层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n在一结构的一绝缘层中形成一开口；/n在该开口中沉积一粘合层；/n将氮原子并入该粘合层中；以及/n沉积一金属到该开口内，该金属形成一中间层，介于一金属插塞和该粘合层之间，该中间层包括该金属和氮的一化合物。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
