[发明专利]成膜方法和成膜装置

摘要

本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在将含硅的原料气体和用于将原料气体氮化的氮化气体交替地供给到基板来在基板上形成含硅氮化膜时，以具有期望的应力的方式形成该含硅氮化膜。以包括以下工序的方式进行成膜处理：将原料吸附工序和所述氮化工序交替反复地进行，来在基板(W)上形成含硅氮化膜；在进行所述原料吸附工序和所述氮化工序之前，设定所述含硅氮化膜的应力；以及氮化时间调整工序，以基于第一对应关系及所设定的所述含硅氮化膜的应力所得到的长度来进行所述氮化工序，其中，所述第一对应关系为所述含硅氮化膜的应力与同所述等离子体形成区域(R1～R3)中的氮化时间对应的参数之间的关系。

主权项

1.一种成膜方法，其特征在于，包括以下工序：将基板载置于设置在真空容器的内部的载置台；原料吸附工序，向所述真空容器内供给含硅的原料气体，并使该原料气体吸附于所述基板；氮化工序，向等离子体形成区域供给氮化气体，来将吸附于所述基板上的原料气体氮化，其中，所述等离子体形成区域是为了将被供给的气体等离子体化后供给到所述基板而在所述真空容器内设置的区域；将所述原料吸附工序和所述氮化工序交替反复地进行，来在所述基板上形成含硅氮化膜；在进行所述原料吸附工序和所述氮化工序之前，设定所述含硅氮化膜的应力；以及氮化时间调整工序，以基于第一对应关系及所设定的所述含硅氮化膜的应力所得到的长度来进行所述氮化工序，其中，所述第一对应关系为所述含硅氮化膜的应力与同所述等离子体形成区域中的氮化时间对应的参数之间的关系。