[发明专利]一种绝缘栅型压电场效应晶体管在审
| 申请号： | 201910231785.6 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109920844A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 张岩;胡琴琴 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/22;H01L29/78;H01L41/113;H01L41/18;G01B7/16 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 陈选中 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅型压电场效应晶体管，包括半导体衬底和依次设置在半导体衬底上的绝缘体层和栅极，半导体衬底上设有漏区和源区，源区和漏区的掺杂类型相同且与半导体衬底的掺杂类型相反，半导体衬底为压电半导体，源区和漏区的掺杂浓度均为重掺杂。相对与现有场效应晶体管，本发明中的压电场效应晶体管的开关特性更好，同时可以通过在压电场效应晶体管中施加应变来控制输出电流，本发明中压电场效应晶体管与现有技术相比能产生更大的导通电流，产生压电场效应晶体管器通过探测施加应力后器件各参数的变化从而实现探测应力。 | ||
| 搜索关键词： | 效应晶体管 压电场 半导体 衬底 漏区 源区 掺杂类型 绝缘栅型 掺杂 探测 施加 场效应晶体管 导通电流 绝缘体层 开关特性 输出电流 依次设置 压电 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅型压电场效应晶体管，其特征在于，包括半导体衬底(5)和依次设置在半导体衬底(5)上的绝缘体层(2)和栅极(1)，所述半导体衬底(5)上设有源区(3)和漏区(4)，所述源区(3)和漏区(4)的掺杂类型相同且与半导体衬底(5)的掺杂类型相反，所述半导体衬底(5)为压电半导体，所述源区(3)和漏区(4)的掺杂浓度均为重掺杂。
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