[发明专利]制造二维材料结构的方法在审
| 申请号： | 201910228514.5 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110660674A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 林时彦;陈璿安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/10;H01L29/24;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露描述制造二维材料结构的方法，包含接收一晶圆，晶圆包含基板与基板上的第一二维材料的第一层，通过图案化第一层，形成第一二维材料的第一图案，以及选择性地在第一图案上形成第二二维材料的第二层，第二二维材料的第二层实质上覆盖第一图案。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 第一层 图案 基板 晶圆 图案化 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造二维材料结构的方法，其特征在于，包含：/n接收一晶圆，该晶圆包含一基板与该基板上的一第一二维材料的一第一层；/n通过图案化该第一层，形成该第一二维材料的一第一图案；以及/n选择性地在该第一图案上形成一第二二维材料的一第二层，该第二二维材料的该第二层覆盖该第一图案。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
