[发明专利]一种三维铁电存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种三维铁电存储器及其制造方法，包括：在衬底表面形成堆叠层，堆叠层包括多层交替排布的氧化硅层和多晶硅层；对堆叠层第一侧和第二侧的侧壁进行刻蚀，并在堆叠层的中间区域形成贯穿堆叠层的沟道孔，第一侧和第二侧为堆叠层相对的两个侧面；在沟道孔侧壁以及第一侧和第二侧的侧壁依次形成介质层和铁电层，铁电层的材料为掺杂的氧化铪；在沟道孔侧壁、第一侧和第二侧的侧壁以及堆叠层的顶部形成栅极层，并对栅极层进行刻蚀，形成在第三侧指向第四侧的方向上相互隔绝的多个栅极，第三侧和第四侧为堆叠层另外两个相对的侧面。由于铁电层的材料为掺杂的氧化铪，因此，可以减小三维存储器的工作电压，提高三维存储器的反复擦写能力。

主权项

1.一种三维铁电存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底表面形成堆叠层，所述堆叠层包括多层交替排布的氧化硅层和多晶硅层；对所述堆叠层第一侧和第二侧的侧壁进行刻蚀，并在所述堆叠层的中间区域形成贯穿所述堆叠层的沟道孔，所述第一侧和所述第二侧为所述堆叠层相对的两个侧面；在所述沟道孔侧壁以及所述第一侧和所述第二侧的侧壁依次形成介质层和铁电层，所述铁电层的材料为掺杂的氧化铪；在所述沟道孔侧壁、所述第一侧和所述第二侧的侧壁以及所述堆叠层的顶部形成栅极层，并对所述栅极层进行刻蚀，形成在第三侧指向第四侧的方向上相互隔绝的多个栅极，所述第三侧和所述第四侧为所述堆叠层另外两个相对的侧面。