[发明专利]半导体存储器装置

摘要

提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，具有单元阵列区域和接触区域；堆叠结构，包括位于基底的单元阵列区域和接触区域上的多个栅电极；多个单元垂直沟道结构，穿过堆叠结构在单元阵列区域上延伸；以及接触结构，在基底的顶表面上设置在堆叠结构旁边，并且沿着从单元阵列区域朝向接触区域延伸的线设置。接触结构的位于单元阵列区域上的高度与接触结构的位于接触区域上的高度不同。

主权项

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，具有单元阵列区域和接触区域；堆叠结构，位于基底的单元阵列区域和接触区域上并且包括多个栅电极，所述多个栅电极在堆叠结构中重复地堆叠；多个单元垂直沟道结构，位于基底的单元阵列区域上并穿过堆叠结构延伸；以及接触结构，在基底的顶表面上设置在堆叠结构旁边，并且沿着从单元阵列区域延伸到接触区域上的线设置在基底的单元阵列区域和接触区域两者上，其中，接触结构在单元阵列区域上具有第一高度，并且在接触区域上具有第二高度，第一高度与第二高度不同。