[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

基底，具有单元阵列区域和接触区域；

堆叠结构，位于基底的单元阵列区域和接触区域上并且包括多个栅电极，所述多个栅电极在堆叠结构中重复地堆叠；

多个单元垂直沟道结构，位于基底的单元阵列区域上并穿过堆叠结构延伸；以及

接触结构，在基底的顶表面上设置在堆叠结构旁边，并且沿着从单元阵列区域延伸到接触区域上的线设置在基底的单元阵列区域和接触区域两者上，

其中，接触结构在单元阵列区域上具有第一高度，并且在接触区域上具有第二高度，第一高度与第二高度不同。

2.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第一高度比第二高度大。

3.如权利要求2所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括多个单元接触插塞，所述多个单元接触插塞位于设置在基底的接触区域上的栅电极的端部上，

其中，多个单元接触插塞的顶表面位于比接触结构的位于单元阵列区域上的顶表面的水平低的水平处。

4.如权利要求2所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括多个单元接触插塞，所述多个单元接触插塞位于设置在基底的接触区域上的栅电极的端部上，

其中，多个单元接触插塞的顶表面位于比接触结构的位于接触区域上的顶表面的水平高的水平处。

5.如权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括位于堆叠结构上的层间介电层，

其中，接触结构穿过层间介电层延伸，

层间介电层的位于单元阵列区域上的顶表面位于与层间介电层的位于接触区域上的顶表面的水平不同的水平处。

6.如权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，层间介电层的位于接触区域上的顶表面处于比层间介电层的位于单元阵列区域上的顶表面的水平低的水平处。

7.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，接触结构的位于接触区域上的顶表面处于比多个单元垂直沟道结构的顶表面的水平高的水平处。

8.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，接触结构的位于接触区域上的顶表面处于比多个单元垂直沟道结构的顶表面的水平低的水平处。

9.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，

半导体存储器装置还包括：

第一单元接触插塞，位于设置在基底的接触区域上的第一栅电极的端部上；以及

第二单元接触插塞，位于设置在基底的接触区域上的第二栅电极的端部上，

第一单元接触插塞的顶表面和第二单元接触插塞的顶表面位于相同的水平处。

10.如权利要求9所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

第一连接线，连接至第一单元接触插塞；以及

第二连接线，连接至第二单元接触插塞，

其中，第一连接线和第二连接线位于不同水平处。

11.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，

半导体存储器装置还包括：

第一单元接触插塞，位于设置在基底的接触区域上的第一栅电极的端部上；以及

第二单元接触插塞，位于设置在基底的接触区域上的第二栅电极的端部上，

第一单元接触插塞的顶表面和第二单元接触插塞的顶表面位于不同的水平处。