[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201910225403.9 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110021531B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 孙松;葛邦同 | 申请（专利权）人： | 北海惠科光电技术有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/77;H01L27/12;H01L29/24;H01L29/423;H01L29/45 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰;刘广 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园北海大*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种TFT阵列基板及其制备方法，该TFT阵列基板包括：基底；栅极，形成于基底上；绝缘层，覆盖栅极；有源层，形成于绝缘层上，有源层包括铟镓锌氧化物；源极和漏极，形成于有源层上，源极和漏极包括镓锌氧化物；钝化层，形成于源极和漏极上，钝化层上开设有过孔；像素电极，形成于钝化层上，像素电极通过过孔与漏极连接，像素电极包括铟锡氧化物。选用铟镓锌氧化物作为有源层，镓锌氧化物作为源极和漏极，铟锡氧化物作为像素电极，可以减小像素电极与漏极之间的接触势垒，以及源漏极与有源层之间的接触势垒，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板制备方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成栅极；在所述栅极上覆盖绝缘层；在所述绝缘层上形成有源层，所述有源层包括铟镓锌氧化物；在所述有源层上形成源极和漏极，所述源极和漏极包括镓锌氧化物；在所述源极和所述漏极上形成钝化层，并在所述钝化层上开设过孔；以及在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接，所述像素电极包括铟锡氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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