[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本申请涉及半导体器件及其制造方法。在层间绝缘膜上形成焊盘，在层间绝缘膜上形成绝缘膜以覆盖焊盘，并且在绝缘膜中形成露出焊盘的一部分的开口部分。在从开口部分露出的焊盘上和绝缘膜上形成电连接到焊盘的金属膜。金属膜一体地包括位于从开口部分露出的焊盘上的第一部分和位于绝缘膜上的第二部分。金属膜的上表面具有用于将导线键合到金属膜的导线键合区域和用于使探针与金属膜接触的探针接触区域，导线键合区域位于金属膜的第一部分上并且探针接触区域位于金属膜的第二部分上。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一绝缘膜，形成在所述半导体衬底上；焊盘，形成在所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜上以覆盖所述焊盘；开口部分，形成在所述第二绝缘膜中并露出所述焊盘的一部分；和金属膜，形成在从所述开口部分露出的所述焊盘上和所述第二绝缘膜上，并且与所述焊盘电连接，其中所述金属膜一体地包括位于从所述开口部分露出的所述焊盘上的第一部分和位于所述第二绝缘膜上的第二部分，所述金属膜的上表面具有用于将导线键合到所述金属膜的第一区域、以及用于使探针与所述金属膜接触的第二区域，所述第一区域位于所述金属膜的所述第一部分中，并且所述第二区域位于所述金属膜的所述第二部分中。