[发明专利]一种半导体发光元件有效
| 申请号： | 201910209946.1 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN109873065B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李慧文;潘冠甫;林仕尉;金超;杨毅;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362343 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层；第一导电类型半导体层下方具有电介质层，电介质层具有多个贯通的开口；电介质层下方具有金属层，金属层通过电介质层的多个贯通开口与第一导电类型半导体层形成电性连接；一正面电极，正面电极具有焊盘，位于第二类型导电性半导体层的上部并与之电性连接；一相反电极，与金属层电性连接；其特征在于：一金属块，位于正面电极焊盘下方的电介质层与半导体发光序列之间，所述金属块的莫氏硬度大于等于6，多个贯通的开口在厚度方向不与金属块重叠。通过正面电极焊盘下方的金属块可有效防止打线时电介质层脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层；第一导电类型半导体层下方具有电介质层，电介质层具有多个贯通的开口；电介质层下方具有金属层，金属层通过电介质层的多个贯通开口与第一导电类型半导体层形成电性连接；一正面电极，正面电极具有焊盘，位于第二类型导电性半导体层的上部并与第二类型导电性半导体层电性连接；一相反电极，与金属层电性连接；其特征在于：一金属块，位于正面电极焊盘下方的电介质层与半导体发光序列之间，所述金属块的莫氏硬度大于等于6，多个贯通的开口在厚度方向不与金属块重叠。
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