[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种可不导致耐压下降及驱动能力的下降，而抑制栅极电压·漏极电流特性中的驼峰的半导体装置以及其制造方法。半导体装置包括：半导体基板，形成有半导体的元件区域及绝缘膜的元件分离区域；一对第一扩散层，在元件区域的上表面部分别在第一方向上延伸且彼此分离地形成；栅极氧化膜，在元件区域上在第一方向上延伸来形成；栅极电极，在栅极氧化膜上在所述第一方向上延伸；以及第二扩散层，形成于一对第一扩散层间的通道区域内的包含栅极氧化膜与绝缘膜相接的部分的区域，且在一对第一扩散层间包含第二扩散层的第一方向上的区间中的一对第一扩散层间的间隔比不包含第二扩散层的第一方向上的区间中的一对第一扩散层间的间隔大。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，形成有半导体的元件区域、以及包围所述元件区域的周围且包含与所述元件区域相接的绝缘膜的元件分离区域；一个第一扩散层及另一个第一扩散层，在所述元件区域的上表面部分别在第一方向上延伸且彼此分离地形成，且所述第一方向上的端部与所述绝缘膜相接；栅极氧化膜，在所述元件区域上在所述第一方向上延伸来形成，且所述第一方向上的端部与所述绝缘膜相接；栅极电极，在所述栅极氧化膜上在所述第一方向上延伸，且所述第一方向上的端部形成于所述绝缘膜上；以及第二扩散层，形成于所述一个第一扩散层与所述另一个第一扩散层间的通道区域内的包含所述栅极氧化膜与所述绝缘膜相接的部分的区域；在所述一个第一扩散层与所述另一个第一扩散层间，包含所述第二扩散层的所述第一方向上的区间中的所述一个第一扩散层与所述另一个第一扩散层间的间隔比不包含所述第二扩散层的所述第一方向上的区间中的所述一个第一扩散层与所述另一个第一扩散层间的间隔大。