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[发明专利]一种MOS器件漏电流瞬态采样装置及方法-CN202010297758.1在审
发明人：乔海;张驰;戴明志;李荣;张杰;陈思鲁;杨桂林 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS器件漏电流瞬态采样装置及方法。所述装置包括MOS漏极电流测试电路和MOS漏极电流计算电路，MOS漏极电流测试电路与被测MOS器件的漏极相连，且其输入端接收外部输入的漏极电压Vd，根据该漏极电压Vd，输出采样得到的漏极电流信号Vo；MOS漏极电流计算电路与MOS漏极电流测试电路的输出端双向连接，根据收到的漏极电流信号Vo和被测MOS器件的漏电流级别控制MOS漏极电流测试电路的漏电流采样数量级，且根据收到的漏极电流信号Vo计算得到被测MOS器件的瞬态漏电流值Id。本发明可以在保证漏电流分辨率的同时，测试多种纳安到微安级别漏电流的MOS器件，测试电路成本低。
一种 mos 器件漏电瞬态采样装置方法

[实用新型]一种MOS器件漏电流瞬态采样装置-CN202020560779.3有效
发明人：乔海;张驰;戴明志;李荣;张杰;陈思鲁;杨桂林 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MOS器件漏电流瞬态采样装置。所述装置包括MOS漏极电流测试电路和MOS漏极电流计算电路，MOS漏极电流测试电路与被测MOS器件的漏极相连，且其输入端接收外部输入的漏极电压Vd，根据该漏极电压Vd，输出采样得到的漏极电流信号Vo；MOS漏极电流计算电路与MOS漏极电流测试电路的输出端双向连接，根据收到的漏极电流信号Vo和被测MOS器件的漏电流级别控制MOS漏极电流测试电路的漏电流采样数量级，且根据收到的漏极电流信号Vo计算得到被测MOS器件的瞬态漏电流值Id。本实用新型可以在保证漏电流分辨率的同时，测试多种纳安到微安级别漏电流的MOS器件，测试电路成本低。
一种 mos 器件漏电瞬态采样装置

[发明专利]MOSFET本征电压的模拟计算方法-CN202110728116.7在审
发明人：顾经纶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOSFET本征电压的模拟计算方法，包括：在第一LDD区加漏极到源极的外部电压，产生的电流经过第一LDD区、第二LDD区和漏极到源极的沟道；获取漏极到源极的LDD的电阻；获取漏极到源极的初始沟道电流；从漏极到源极的外部初始电流开始，重复采用公式(1)、公式(2)和公式(3)进行迭代算法多次计算模拟电压和模拟电流，当计算得到的模拟电流与前一次计算得到的模拟电流的差值小于设定值时，停止迭代计算，模拟电压为源极和漏极以及栅极和源极之间的本征电压，模拟电流为源极和漏极之间的沟道电流。本发明可以模拟MOSFET的本征电压和沟道电流，并且模拟计算后的本征电压和沟道电流的值与实际的本征电压和沟道电流的值更接近。
mosfet 电压模拟计算方法

[发明专利]一种低漏电高速锁相环电荷泵电路-CN201310381514.1无效
发明人：刘雄 -专利权人：苏州苏尔达信息科技有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，第四MOS管漏极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。
一种漏电高速锁相环电荷电路

[实用新型]低漏电高速锁相环电荷泵电路-CN201320529264.7有效
发明人：刘雄 -专利权人：苏州苏尔达信息科技有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，第四MOS管漏极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。
漏电高速锁相环电荷电路

[实用新型]一种电流源电路-CN201020150046.9无效
发明人：刘辉;傅璟军;胡文阁 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种电流源电路，包括：第一NMOS管源极接地，漏极与栅极相连；第二NMOS管源极通过电阻与地相连，栅极与第一NMOS管的栅极相连，漏极与第三PMOS管的漏极相连；第三PMOS管源极连接电源，栅极和漏极相连，栅极还与第四PMOS管的栅极相连；第四PMOS管源极连接电源，漏极与第一NMOS管的栅漏相连，栅极与第三PMOS管的栅极相连；第五PMOS管源极连接电源，栅极连接第三PMOS管的栅极，漏极连接第二NMOS管的源极。本电流源电路在传统电流源电路上添加了一PMOS管，增加了电流源的电流调节参数，能很好的平衡电流，同时还减小了电流源电路面积。
一种电流电路

[发明专利]场效应管的测试方法-CN202110852071.4在审
发明人：葛伟坡;潘建峰;章志强;刘春胜;王丽高 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：公开了一种场效应管的测试方法，该测试方法包括：在所述场效应管的源极和漏极之间施加第一电流，以释放沟道区电荷；在所述场效应管的源极和漏极之间施加第二电流，以测试源极和漏极之间的电压，其中，所述第一电流大于所述第二电流；场效应管的源极和漏极之间具有寄生二极管，所述第二电流反向流过寄生二极管时，源极和漏极的电压表征所述场效应管的漏源击穿电压。本发明提供的场效应管的测试方法通过在所述场效应管的源极和漏极之间施加第一电流，将沟道区电荷导出，排除了沟道区电荷的影响，从而使得良率提升。
场效应测试方法

[发明专利]绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法-CN201210140914.9有效
发明人：连晓谦;陈寒顺;凌耀君 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI MOS器件动态击穿电压的测试方法，包括先后对漏极施加逐渐递增的漏极电压循环进行击穿测试的步骤，其中击穿测试包括：步骤A，对栅极施加电压Vg，量测漏极电流；步骤B，判断当前漏极电流是否是第一漏极电流前值的a1倍以上，若是，则将当前漏极电压作为动态击穿电压进行记录，结束测试；否则执行步骤C；步骤C，判断当前漏极电流是否在第二漏极电流前值的1/a2以下，若是，则将当前漏极电压作为烧毁电压进行记录，结束测试；否则执行步骤D；步骤D，判断Vg是否达到上限，若是，则进入下一漏极电压下的击穿测试循环，否则将当前Vg增大后返回步骤A。
绝缘体 mos 器件动态击穿电压测试方法

[发明专利]CMOS随机数发生器-CN201110444656.9有效
发明人：石道林 -专利权人：国民技术股份有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本发明公开一种CMOS随机数发生器，其包括偏置电路、双漏极CMOS管噪声电流源和控制单元。偏置电路用于为所述双漏极CMOS管噪声电流源提供直流工作点。双漏极CMOS管噪声电流源采用双漏极CMOS管产生噪声电流信号。控制单元用于将双漏极CMOS管噪声电流源产生的噪声电流信号直接放大后产生随机数。本发明的电路结构更简单且功耗更低。
cmos 随机数发生器

[发明专利]预测MOS晶体管中的漏极电流的方法-CN200810188130.7无效
发明人：李恩真;高锡龙 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种预测漏极电流的方法，该方法通过使用具有三元算子的表达式在击穿区中对漏极电流进行建模，并将模拟出的漏极电流叠加到相关技术的基于BSIM3的建模方案的结果上，可以精确地预测线性区、饱和区以及击穿区中的漏极电流，其中，在击穿区中，当通过相关技术的基于BSIM3的建模方案来计算依赖于漏极电压的漏极电流时，可能产生不一致。
预测 mos 晶体管中的电流方法

[发明专利]一种CMOS随机数发生器-CN200910300849.X有效
发明人：孙迎彤;周盛华 -专利权人：国民技术股份有限公司
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：该随机数发生器包括：偏置电路，用于为双漏极CMOS管噪声电流源提供直流工作点；双漏极CMOS管噪声电流源，利用双漏极互补式金属氧化层半导体CMOS管产生噪声电流信号；控制电路，将双漏极CMOS管噪声电流源输出的噪声电流信号转换为随机序列输出，同时检测噪声电流信号，并根据检测结果控制双漏极CMOS管噪声电流源输出或中止输出噪声电流信号。本发明利用双漏极CMOS管噪声大的特点，大大降低了随机数发生器的功耗，适合射频识别标签芯片使用。
一种 cmos 随机数发生器

[发明专利]一种电流镜像电路-CN201110446787.0有效
发明人：张立国;蔡新午;赵骞;潘文杰;周建波 -专利权人：国民技术股份有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流镜像电路，通过在电流镜像电路中设置电压复制电路和放大电路，将电流镜源端子电路的漏极电压与电流镜镜像端子电路的漏极电压进行放大比较，通过放大电路的负反馈机制保证电流镜源端子电路的漏极电压与电流镜镜像端子电路的漏极电压相等，使得电流镜源端子电路和电流镜镜像端子电路的源极、栅极、漏极电压相等，进而使得流过电流镜源端子电路的源漏电流与流过电流镜镜像端子电路源漏电流相同，避免因组成镜像电路的元器件的尺寸的影响导致电流源镜像电路的偏置电流不准的情况发生
一种电流电路

[发明专利]使用GIDL方法求取闪存的完整耦合系数的方法-CN01110315.9有效
发明人：蔡荣昱;黄智睦;高启弘;赵传珍 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-04-03 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：维持固定源极电压Vs与基底电压Vb并改变漏极电压Vd与控制栅电压Vcg，测量第一栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第一耦合系数比αd/αcg。维持固定漏极电压Vd与基底电压Vb并改变源极电压Vs与控制栅电压Vcg，测量第二栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第二耦合系数比αs/αcg。维持固定漏极电压Vd与源极电压Vs并改变控制栅电压Vcg与基底电压Vb，测量第三栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第三耦合系数比αb/αcg。再依据规则方程式αd+αs+αb+αcg＝1，求得漏极耦合系数αd、源极耦合系数αs、基底耦合系数αb与控制栅耦合系数αcg之值。
使用 gidl 方法求取闪存完整耦合系数

[发明专利]一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置-CN202310230701.3在审
发明人：何燕;孟宪伟;刘亚辉 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置，所述方法包括：在MOS器件的源极和漏极之间施加测试电压，在测试过程中，逐渐增加测试电压；量测所述漏极与源极之间的电压作为测量电压；量测所述源极与接地极之间的电流作为测量电流；当所述测量电流达到预设值时,测量电压作为当前测量电流下的源漏击穿电压。根据本发明提供的MOS器件的源漏击穿电压的测试方法和装置，通过在源漏极之间施加测试电压的同时，测量源极与接地极之间的电流以及漏极与源极之间的电压，并将测量电流达到预设值时的测量电压作为源漏击穿电压，减少了测试电压的施加时间
一种 mos 器件击穿电压测试方法装置

[发明专利]存储器单元和存储装置-CN201680013237.0有效
发明人：冈干生;神田泰夫;肥后丰 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明技术的目的是提高存储反映电流方向的值的存储单元的性能。存储器单元包括N型晶体管、P型晶体管和存储元件。N型晶体管从其源极向漏极或从漏极向源极提供电流。P型晶体管从其源极向漏极提供电流。存储元件存储反映从N型晶体管的漏极以及从P型晶体管的漏极提供的电流的方向的逻辑值。
存储器单元存储装置

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