[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基板，形成有半导体的元件区域、以及包围所述元件区域的周围且包含与所述元件区域相接的绝缘膜的元件分离区域；

一个第一扩散层及另一个第一扩散层，在所述元件区域的上表面部分别在第一方向上延伸且彼此分离地形成，且所述第一方向上的端部与所述绝缘膜相接；

栅极氧化膜，在所述元件区域上在所述第一方向上延伸来形成，且所述第一方向上的端部与所述绝缘膜相接；

栅极电极，在所述栅极氧化膜上在所述第一方向上延伸，且所述第一方向上的端部形成于所述绝缘膜上；以及

第二扩散层，形成于所述一个第一扩散层与所述另一个第一扩散层间的通道区域内的包含所述栅极氧化膜与所述绝缘膜相接的部分的区域；

在所述一个第一扩散层与所述另一个第一扩散层间，包含所述第二扩散层的所述第一方向上的区间中的所述一个第一扩散层与所述另一个第一扩散层间的间隔比不包含所述第二扩散层的所述第一方向上的区间中的所述一个第一扩散层与所述另一个第一扩散层间的间隔大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘膜埋设于所述半导体基板上所形成的沟槽。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述第二扩散层中包含浓度比所述通道区域高的杂质。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二扩散层及所述通道区域为第一导电型，所述一个第一扩散层及所述另一个第一扩散层为与所述第一导电型不同的第二导电型。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，与所述一个第一扩散层及所述另一个第一扩散层相比，包含高浓度的杂质的一个高浓度扩散层及另一个高浓度扩散层形成于所述一个第一扩散层及所述另一个第一扩散层的各者的表层，

所述栅极电极的所述端部包含覆盖所述第二扩散层的区域，所述栅极电极的所述端部中的与所述第一方向正交的方向上的电极宽度比所述端部以外的所述栅极电极的区域中的与所述第一方向正交的方向上的电极宽度大，

在所述一个高浓度扩散层与所述另一个高浓度扩散层间，包含所述第二扩散层的所述第一方向上的区间中的所述一个高浓度扩散层与所述另一个高浓度扩散层间的间隔比不包含所述第二扩散层的所述第一方向上的区间中的所述一个高浓度扩散层与所述另一个高浓度扩散层间的间隔大。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述一个高浓度扩散层及所述另一个高浓度扩散层的各者在所述一个高浓度扩散层与所述另一个高浓度扩散层间不包含所述第二扩散层的所述第一方向上的区间中，具有朝所述通道区域的方向突出的突出部，

在所述一个高浓度扩散层及所述另一个高浓度扩散层各者的上表面中的包含所述突出部的区域，结合有触头。

7.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基板，在主表面上包括元件区域、以及与所述元件区域的周围相接来包围的元件分离区域；

电极，一端配置于所述元件分离区域上，并且经由绝缘层而配置于所述主表面的所述元件区域上；

一对第一扩散层，彼此相向地配置于在俯视下内包于与所述电极对应的区域的所述元件区域；以及

第二扩散层，在俯视下内包于与所述电极对应的区域的所述元件区域，与形成所述元件区域与所述元件分离区域的边界的边相接，并且远离所述一对第一扩散层来配置；

其中所述一对第一扩散层所夹持的通道区域在与所述边垂直的方向上延伸，并且内包所述第一扩散层，且具有：

第一区域，内包所述第二扩散层且与所述边平行的方向上的宽度为第一长度；以及

第二区域，与所述边平行的方向上的宽度为比所述第一长度短的第二长度。