[发明专利]晶体管及其形成方法、存储器在审
| 申请号： | 201910202429.1 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN109920846A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 孙超;许文山;田武 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管及其形成方法以及一种存储器，所述晶体管包括：衬底，所述衬底内形成有有源区和包围所述有源区的隔离区；所述有源区包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源区和漏区；栅介质层，位于所述沟道区表面；电极层，横跨所述有源区，包括位于所述栅介质层表面的栅极部，以及自所述栅极部的沿沟道区宽度方向的至少一端延伸至所述隔离区表面的栅极延伸部，且所述栅极延伸部在沟道区长度方向上的宽度小于或等于所述栅极部在沟道区长度方向上的宽度。所述晶体管的体效应得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道区 源区 晶体管 栅极延伸部 存储器 栅介质层 隔离区 衬底 沟道区表面 电极层 体效应 漏区 横跨 包围 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内形成有有源区和包围所述有源区的隔离区；所述有源区包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源区和漏区；栅介质层，位于所述沟道区表面；电极层，横跨所述有源区，包括位于所述栅介质层表面的栅极部，以及自所述栅极部的沿沟道区宽度方向的至少一端延伸至所述隔离区表面的栅极延伸部，且所述栅极延伸部在沟道区长度方向上的宽度小于或等于所述栅极部在沟道区长度方向上的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910202429.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
