[发明专利]等离子体CVD装置和薄膜的制造方法在审
| 申请号： | 201910193527.3 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110284124A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 丰田浩孝;铃木阳香;慈幸范洋;奈良井哲 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;国立大学法人名古屋大学 |
| 主分类号： | C23C16/517 | 分类号： | C23C16/517 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴克鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种等离子体CVD装置，其能够有效地在基材上形成高密度的皮膜，在具有导电性的基材上也能够形成皮膜。本发明的一个方式，是通过等离子体CVD在基材上形成皮膜的等离子体CVD装置，其具备：在内部使上述等离子体CVD反应发生的腔室；配设于上述腔室内并保持上述基材的保持机构；配设于上述腔室内并生成等离子体的天线；和对上述天线施加正偏压的电源，上述腔室和保持机构为接地电位。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 等离子体CVD装置 皮膜 等离子体CVD 腔室 天线 等离子体 室内 导电性 接地电位 有效地 正偏压 薄膜 电源 施加 制造 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体CVD装置，其是通过等离子体CVD在基材上形成皮膜的等离子体CVD装置，具备：在内部使所述等离子体CVD反应发生的腔室、配设于所述腔室内并保持所述基材的保持机构、配设于所述腔室内并生成等离子体的天线、和对所述天线施加正偏压的电源，其中，所述腔室和保持机构为接地电位。
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- 一种同轴微波等离子体沉积薄膜的设备，属于等离子技术领域，该设备包括真空腔室，真空腔室上固定安装有同轴微波等离子体源，包括微波发生器、波导、同轴线变换器、石英管和内电极，其中，石英管位于真空腔室内部且固定安装于真空腔室两侧壁上，同轴线变换器通过真空腔室外侧壁同轴对称固定安装于石英管两端，同时同轴线变换器通过波导与微波发生器相连，内电极穿过石英管并固定在同轴线变换器上，内电极、同轴线变换器、石英管三者同轴，设备中还设置了等离子体的电子密度和电子温度测试的仪器，以及功率和气压自动控制设备和系统，可以获得稳定的、可控性强的等离子体，可实现高效、稳定、均匀的沉积薄膜，该设备生产效率高，生产成本低。
- 一种微球聚合物涂层制备装置-201420411159.8
- 何智兵;何小珊;许华;李俊;李玉红;陈志梅 - 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 2014-07-24 - 2014-12-03 - C23C16/517
- 本实用新型提供一种微球聚合物涂层制备装置，所述的装置包括进气管、射频屏蔽罩、电感线圈、石英谐振腔、真空室。石英谐振腔位于电感线圈中，电感线圈位于射频屏蔽罩中，进气管与石英谐振腔连接，石英谐振腔与真空室连接，真空室内设有样品架、样品升降台、敲击杆。本实用新型应用于激光惯性约束聚变领域靶丸烧蚀层材料的制备，具有能实现微球聚合物涂层厚度可控、微球聚合物涂层单层及多层掺杂等特点。
- 一种微球聚合物涂层制备装置-201410355087.4
- 何智兵;何小珊;许华;李俊;李玉红;陈志梅 - 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 2014-07-24 - 2014-11-05 - C23C16/517
- 本发明提供一种微球聚合物涂层制备装置，所述的装置包括进气管、射频屏蔽罩、电感线圈、石英谐振腔、真空室。石英谐振腔位于电感线圈中，电感线圈位于射频屏蔽罩中，进气管与石英谐振腔连接，石英谐振腔与真空室连接，真空室内设有样品架、样品升降台、敲击杆。本发明应用于激光惯性约束聚变领域靶丸烧蚀层材料的制备，具有能实现微球聚合物涂层厚度可控、微球聚合物涂层单层及多层掺杂等特点。
- 一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法-201310121151.8
- 李灿;秦炜;刘生忠;王书博 - 中国科学院大连化学物理研究所
- 2013-04-09 - 2014-10-15 - C23C16/517
- 本发明公开了一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法，属于硅薄膜的制备技术领域。该方法通过在化学气相沉积过程中使用热丝(HWCVD)等离子体(PECVD)，和偏压结合分解反应气体沉积硅薄膜（简称结合方法(P-HWCVD)），通过对极板间距，射频功率，偏压，硅烷和氢气浓度等参数的调节实现对硅薄膜微结构、硅薄膜制备过程以及沉积速率的调控。同时，使用结合方法可以实现比单独使用上述单一一种气体分解方式有更高的气体利用率，比单一使用热丝法在超高速率制备的材料具有更好的质量。在结合方法中制备出的硅薄膜材料与单一使用热丝法制备的材料相比更适合用于太阳电池。
- 一种微波等离子体化学气相沉积装置-201320737394.X
- 王宏兴 - 王宏兴
- 2013-11-19 - 2014-05-21 - C23C16/517
- 本实用新型公开一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括用于导入微波的波导装置，所述波导装置与设置在其下方的反应室连接，所述反应室的在圆周方向上均匀设置有多个反应气体入口；在所述波导装置与反应室的连接处水平设置有隔离窗，所述隔离窗用于将波导装置与反应室隔离开，并使所述反应室保持预设定的真空度；在所述反应室内部同轴设置用于支撑衬底托的样品台，在所述衬底托的周围开设有供反应气体流出反应室的气体通道。本实用新型解决现有技术中，掺杂元素不能有效掺入到衬底表面形成的薄膜中，致使掺杂气体的使用效率低，成膜效果不理想的技术问题。本实用新型主要应用与等离子体加工领域。
- 大体积微波等离子体制备类金刚石薄膜的装置-201310754676.5
- 熊礼威;崔晓慧;汪建华;翁俊;龚国华 - 武汉工程大学
- 2013-12-31 - 2014-04-16 - C23C16/517
- 本发明涉及一种大体积微波等离子体制备类金刚石薄膜的装置，包括谐振腔、石英管反应腔、多个微波源和多个微波输入系统，所述微波源产生的微波通过所述微波输送系统送入所述谐振腔内，所述石英管反应腔位于所述谐振腔内，所述谐振腔为空心五棱柱，空心五棱柱的五个面分别对应不同的微波源和微波输入系统。本发明适合大批量制备类金刚石保护涂层，能够实现类金刚石薄膜光学涂层的产业化，极大地推动类金刚石产业的发展。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
