[发明专利]腔室及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201910186002.7 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111696882A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 赵联波;王宽冒;郑金果 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的腔室，包括腔体和设置在腔体中的工艺基座，还包括设置在腔体中的冷却基座和传输机构，其中，冷却基座用于对置于其上的晶片进行冷却，传输机构用于在工艺基座与冷却基座之间传递晶片。本发明的腔室，将工艺基座和冷却基座集成在同一个腔体中，在进行冷却工艺时，无需通入大量的气体升高腔体压力，即可在冷却基座上对晶片进行有效的冷却，维持腔体压力稳定的同时还可以保证工艺基座上一直有晶片在进行薄膜沉积工艺，因此，本发明提供的腔室提高了对晶片的冷却效率和产能，同时还提升了腔室工作状况的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
