[发明专利]半导体发光器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910140688.6 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN110197867A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 金炅珉;金奉焕;韩定佑 | 申请（专利权）人： | 世迈克琉明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/56;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体发光器件及其制造方法。公开了一种半导体发光器件，包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括适于通过电子和空穴的复合产生光的有源层；透镜形状的封装构件，该封装构件由对于波段范围为100nm至400nm的光而言具有至少90％的透射率的透光热塑性树脂制成，以包围所述半导体发光器件芯片；以及外部基板，该外部基板包括导电层，所述导电层电连接到所述半导体发光器件芯片的所述电极。以使除了所述封装构件的下表面的与所述外部基板接触的部分之外的所述封装构件的所有表面都暴露于外部的方式形成所述封装构件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体发光器件 封装构件 半导体层 外部基板 芯片 电极 空穴 热塑性树脂 导电层电 透镜形状 导电层 电连接 透射率 下表面 波段 透光 源层 制造 包围 复合 暴露 外部 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括被配置为通过电子和空穴的复合产生光的有源层；封装构件，该封装构件由对于波段范围为100nm至400nm的光而言具有至少90％的透射率的透光热塑性树脂制成，以包围所述半导体发光器件芯片；以及外部基板，该外部基板包括电连接到所述半导体发光器件芯片的所述电极的导电层，其中，以使除了所述封装构件的下表面的与所述外部基板接触的部分之外的所述封装构件的所有表面都暴露于外部的方式形成所述封装构件。
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