[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910133520.2 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN111613672B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在栅极结构两侧的基底中形成轻掺杂区；形成轻掺杂区后，在栅极结构两侧的基底中形成一层或多层浓度缓冲层，形成浓度缓冲层的步骤包括：在栅极结构的侧壁上形成侧墙层；以侧墙层为掩膜进行掺杂，在栅极结构两侧的基底中形成浓度缓冲层，且掺杂浓度高于轻掺杂区的掺杂浓度；当形成多层浓度缓冲层时，远离轻掺杂区的浓度缓冲层的掺杂浓度大于靠近轻掺杂区的浓度缓冲层的掺杂浓度；在浓度缓冲层上形成源漏掺杂层，且源漏掺杂层的掺杂浓度高于浓度缓冲层的掺杂浓度。源漏掺杂层中的高浓度掺杂离子不易穿过浓度缓冲层扩散至轻掺杂区中，栅极结构不易被破坏，提高了半导体结构的电学性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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