[发明专利]半导体工艺的反应副产物收集装置

摘要

本发明涉及一种半导体工艺的反应副产物收集装置，其包括：内部收集塔，其设置有覆盖延长排出口的收集塔罩和罩板；延长排出口，其具有向内部收集塔的内部上部方向延长的长度，还包括：壳体，其将流入的废气收容后排出并在内壁形成有产生涡流的水平涡流板；上板，其覆盖壳体的上部的同时形成有防止壳体过热的冷却水流路；内部收集塔，其在壳体内部以向上部隔开一定间隔的形式设置，设置有收集塔罩和罩板；加热器，其设置有热电导板，对流入壳体的废气进行加热并平均分配；延长排出口，其以延长至内部收集塔内部的形式设置，增加流入的废气的流路和滞留时间的同时使废气通过壳体下板的气体排出口排出。