[发明专利]接触结构在审
| 申请号： | 201910112883.8 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110246804A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 朴灿鲁;蔡东辰 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L23/528;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及接触结构。本公开涉及半导体结构，并且更特别地，涉及接触结构以及制造方法。所述方法包括：使位于邻近栅极结构之间并且位于源极/漏极金属化的金属化覆盖层下方的隔离区凹陷；将所述金属化覆盖层平面化至所述邻近栅极结构的水平；以及形成在所述邻近栅极结构的侧面上并且在所述邻近栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化的源极/漏极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 金属化 源极/漏极 接触结构 邻近 覆盖层 半导体结构 隔离区 平面化 凹陷 侧面 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：使位于邻近栅极结构之间并且位于源极/漏极金属化的金属化覆盖层下方的隔离区凹陷；将所述金属化覆盖层平面化至所述邻近栅极结构的水平；以及形成在所述邻近栅极结构的侧面上并且在所述邻近栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化的源极/漏极接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
