[发明专利]接触结构

权利要求书

1.一种方法，包括：

使位于邻近栅极结构之间并且位于源极/漏极金属化的金属化覆盖层下方的隔离区凹陷；

将所述金属化覆盖层平面化至所述邻近栅极结构的水平；以及

形成在所述邻近栅极结构的侧面上并且在所述邻近栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化的源极/漏极接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述隔离区的所述凹陷是选择性蚀刻工艺，其不侵蚀所述源极/漏极金属化的所述金属化覆盖层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述金属化覆盖层是钴。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述选择性蚀刻是选择性地将所述隔离区蚀刻到所述钴的低或零偏置CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F等离子体或具有上述气体的混合物的等离子体。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述凹陷部分地去除所述邻近栅极结构的帽盖材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述平面化是钴覆盖层的化学机械抛光(CMP)，其在所述邻近栅极结构和其他栅极结构上的帽盖材料上停止。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述CMP对所述帽盖材料是选择性的。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述帽盖材料是保护下方的栅极材料的氮化物材料。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述源极/漏极接触的所述形成包括：

在所述凹部中并且在所述邻近栅极结构和所述其他栅极结构上方沉积电介质材料；

在所述电介质材料中形成开口，以暴露位于所述邻近栅极结构和所述其他栅极结构之间的所述源极/漏极金属化；以及

在所述开口内沉积接触所述源极/漏极金属化的金属材料。

10.一种方法，包括：

去除位于栅极结构的表面上方和位于源极/漏极金属化特征的钴覆盖层内的电介质材料；

在所述去除所述电介质材料之后，将所述钴覆盖层平面化至所述栅极结构的帽盖材料；

在所述帽盖材料和所述源极/漏极金属化特征上沉积层间电介质材料；以及

在所述层间电介质材料内并在所述栅极结构的侧面上形成在所述栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化特征的源极/漏极接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述电介质材料的所述去除是选择性蚀刻工艺。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述选择性蚀刻工艺是选择性地将所述电介质材料蚀刻到所述栅极结构的所述帽盖材料的表面下方的低或零偏置CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F等离子体或具有上述气体的混合物的等离子体。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述平面化是所述钴覆盖层的化学机械抛光(CMP)，其在所述栅极结构的所述帽盖材料上停止。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述CMP对所述帽盖材料是选择性的。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述帽盖材料是保护下方的栅极材料的氮化物材料。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述层间电介质材料的所述沉积是在所述帽盖材料中形成的台阶特征内的沉积。