[发明专利]纳米结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种纳米结构的制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，在衬底上形成牺牲层以及覆盖牺牲层侧面的侧墙；S2，去除牺牲层，并形成位于侧墙一侧或覆盖侧墙的掩膜预备层；S3，采用光刻工艺刻蚀位于侧墙一侧的掩膜预备层，或采用光刻工艺刻蚀覆盖侧墙的掩膜预备层以使至少一侧的侧墙裸露，形成图形化结构层；S4，以裸露的侧墙和图形化结构层为掩膜刻蚀衬底，得到纳米结构。该制备方法通过将侧墙转移技术与传统光刻技术结合，提高了纳米结构的刻蚀效率，解决了纳米图形转移技术直写光刻技术效率较低的问题，同时避免了单独采用侧墙图形转移技术在大面积的图形、高密度图形曝光时产生的严重邻近效应，能够有效地形成大面积图形。

主权项

1.一种纳米结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在衬底(10)上形成牺牲层(30)以及覆盖所述牺牲层(30)侧面的侧墙(50)；S2，去除所述牺牲层(30)，并形成位于所述侧墙(50)一侧或覆盖所述侧墙(50)的掩膜预备层(610)；S3，采用光刻工艺刻蚀位于所述侧墙(50)一侧的所述掩膜预备层(610)，或采用光刻工艺刻蚀覆盖所述侧墙(50)的所述掩膜预备层(610)以使至少一侧的所述侧墙(50)裸露，形成图形化结构层(60)；S4，以裸露的所述侧墙(50)和所述图形化结构层(60)为掩膜刻蚀所述衬底(10)，得到所述纳米结构(80)。